本发明专利技术提供离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法，能对离子束照射装置进行清洗，并且能显著提高装置的运转率。所述离子束照射装置包括：基板输送部（102），在盒（7）和处理室（5）之间对未处理的基板与离子束照射处理过的基板进行多次基板更换作业；以及离子束供给部（101），用于向处理室（5）供给离子束（3），与至少一次的基板更换作业并行地，对离子束供给部（101）的运转参数进行设定变更并对离子束供给部（101）内进行清洗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及向硅晶片或玻璃基板照射离子束从而对所述基板实施离子束照射处 理的离子束照射装置的清洗。
技术介绍
在离子注入装置、离子掺杂装置和离子束定向装置等离子束照射装置中，如果连 续长时间进行从离子源引出离子束的运转，则会在构成离子源的引出电极系统的电极上附 着沉积物。如果不处理所述沉积物，则会弓I起电极间的异常放电。如果所述的异常放电的发生次数增加，则会导致不能维持装置的正常运转。因此， 需要定期地停止装置的运转，并去除成为异常放电原因的沉积物。作为去除附着在电极上的沉积物的例子，提出了一种将清洗用气体导入电极间、 并使所述清洗用气体在电极间产生辉光放电的方法(专利文献I)。现有技术文献专利文献1:日本专利公开公报特开2012-38668号(图1、图2,0029段、0040段)在专利文献I的方法中，虽然可以期待去除沉积物，但是关闭离子源的保养检查 作业时所使用的阀来对电极进行清洗。通常，在停止装置的运转后进行离子源的保养检查 作业。因此，虽然可以期待清洗效果，但是因为暂时停止装置的通常运转后进行清洗，所以 需要设定特别的时间。与完全不进行清洗而使装置连续运转的情况相比，利用专利文献I中记载的方法 对电极进行清洗，能够使装置的运转状态稳定，因此长期而言能够提高装置的运转率。然 而，因为存在装置停止运转的时间，所以提高装置运转率存在限度。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的是提供能够比以往的技术显著地提高离子束照射装置的 运转率的新的。本专利技术提供一种离子束照射装置，其包括:盒，用于收纳多个基板；处理室，在该 处理室内对所述基板进行离子束照射处理；基板输送部，在所述盒和所述处理室之间进行 多次基板更换，所述基板更换是对收纳在所述盒内的未处理的基板与在所述处理室内经过 离子束照射处理的处理过的基板进行更换；以及离子束供给部，产生离子束，并向所述处理 室内供给所述离子束，与通过所述基板输送部进行的多次基板更换作业中的至少一次基板 更换作业并行地，对所述离子束供给部的运转参数进行设定变更并对所述离子束供给部内 进行清洗。按照所述的装置，与通过基板输送部进行的基板更换作业并行地消除装置运转率 下降的原因，因此能够比以往的技术显著地提高装置的运转率。此外，优选的是，所述离子束照射装置还包括存储装置，该存储装置存储有用于清 洗所述离子束供给部内的清洗用运转参数，在清洗所述离子束供给部内时，从所述存储装置读出所述清洗用运转参数。按照该结构，在清洗离子束供给部时，无需从头开始调节清洗用运转参数。由此， 能够充分确保清洗所需的时间，因此能够获得足够的清洗效果。其结果，能够使离子束照射 装置以更稳定的状态继续运转。此外，优选的是，所述存储装置中存储有多个所述清洗用运转参数，根据所述离子 束照射装置的运转时间、离子束照射条件以及在所述离子束供给部发生的放电次数中的任 意一项，从所述存储装置读出所述清洗用运转参数。如果采用该结构，则能够根据装置的运转状态高效地清洗离子束供给部。在清洗离子束供给部内之后，优选的是通过下述方式确认离子束的重新产生是否 正常进行了。所述方式为:所述离子束照射装置还包括离子束电流测量仪，该离子束电流测 量仪设置在所述处理室内，对所述离子束的电流进行测量，从所述离子束供给部内的清洗 结束起经过规定时间之后，开始利用所述离子束电流测量仪进行测量。利用该结构，能够准确地测量离子束电流。进而，能够缩短重新产生离子束所需的 时间，并且能够正常地实施之后对基板进行的离子束照射处理。此外，为了在清洗离子束供给部内之后使离子束的重新产生顺利进行，并防止成 为放电的原因的沉积物的附着，优选的是，所述离子束供给部包括:等离子体生成容器，掺 杂气体导入该等离子生成容器，在该等离子生成容器的内部生成等离子体；以及引出电极 系统，由多个电极组构成，用于从在所述等离子体生成容器内生成的等离子体引出离子束， 在所述离子束供给部内的清洗结束之后、且在导入所述等离子体生成容器内的所述掺杂气 体的导入量达到规定量之后，通过向所述引出电极系统施加规定电压来弓I出所述离子束。此外，本专利技术提供一种离子束照射装置的运转方法，所述离子束照射装置包括: 盒，用于收纳多个基板；处理室，在该处理室内对所述基板进行离子束照射处理；基板输送 部，在所述盒和所述处理室之间进行多次基板更换，所述基板更换是对收纳在所述盒内的 未处理的基板与在所述处理室内经过离子束照射处理的处理过的基板进行更换；以及离子 束供给部，产生离子束，并向所述处理室内供给所述离子束，所述离子束照射装置的运转方 法使所述离子束照射装置与通过所述基板输送部进行的多次基板更换作业中的至少一次 基板更换作业并行地，对所述离子束供给部内进行清洗。与在基板输送部的基板更换作业并行地进行消除装置运转率下降的原因，因此能 够显著地提高装置的运转率。【附图说明】图1是本专利技术中使用的离子束照射装置的一个例子。图2是表示在本专利技术的离子束照射装置中通常运转时所进行的一系列处理的流 程图。图3是在本专利技术的离子束照射装置中进行的基板输送的一个例子。图4是在本专利技术的离子束照射装置中进行的基板输送的另一个例子。图5是在本专利技术的离子束照射装置中进行的基板输送的其他例子。图6是在本专利技术的离子束照射装置中进行的基板输送的另外的不同的例子。图7是本专利技术中使用的离子束照射装置的另一个例子。图8表示从90度的不同方向观察图7的离子束照射装置时的样子。图9是将本专利技术中使用的离子束照射装置的一般性化后示意图。附图标记说明I等离子体生成容器2引出电极系统3离子束4基板5处理室6预真空室7盒【具体实施方式】下面参照附图对本专利技术的离子束照射装置的运转方法进行说明。图1表示作为离子束照射装置的一个例子的离子注入装置頂1。简单地对所述离子束照射装置頂I进行说明。所述离子束照射装置頂1向等离子体生成容器I导入作为离 子束3的产生源的掺杂气体9(例如三氟化硼或磷化氢等)，通过从未图示的阴极发射的热电 子使所述气体电离，通过与等离子体生成容器I相邻配置的引出电极系统2 (加速电极2a、 引出电极2b、抑制电极2c、接地电极2d)引出离子束3，所述离子束照射装置IMl作为以往 的桶式离子源的一种而被公知。通过构成离子源的等离子体生成容器I和引出电极系统2引出的离子束3照射到 配置在处理室5内的基板4 (例如硅晶片或玻璃基板等)上。在此，基板4在垂直纸面的方 向上也有长度，该长度大于照射到基板4上的离子束3在相同方向上的长度。在该情况下， 基板4通过未图示的驱动装置在垂直纸面的方向上移动，从而使离子束3照射到基板4的 整个面上。配置在处理室5外侧的盒7内收纳有多个基板4。通过输送机器人8从所述盒7 取出基板4并将其搬入预真空室6内。接下来,使预真空室6内成为真空气氛之后，将基板 4搬入处理室5内。在实施完对基板4的离子束照射处理后，将处理过的基板4从处理室5 搬出，再次将其搬入预真空室6内。之后，使预真空室6内的气氛成为大气压，通过输送机 器人8从预真空室6取出处理过的基板4，并将其收纳于盒7中。在预真空室6和处理室5之间、且在预真空室6的大气侧的面(与图示的处理室5 相反侧的面)上设置有将两个空间隔开的、未图示的阀，并根据预真空本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种离子束照射装置，其特征在于，所述离子束照射装置包括：盒，用于收纳多个基板；处理室，在该处理室内对所述基板进行离子束照射处理；基板输送部，在所述盒和所述处理室之间进行多次基板更换，所述基板更换是对收纳在所述盒内的未处理的基板与在所述处理室内经过离子束照射处理的处理过的基板进行更换；以及离子束供给部，产生离子束，并向所述处理室内供给所述离子束，与通过所述基板输送部进行的多次基板更换作业中的至少一次基板更换作业并行地，对所述离子束供给部的运转参数进行设定变更并对所述离子束供给部内进行清洗。
【技术特征摘要】
2012.06.22 JP 2012-140475;2012.12.06 JP 2012-26761.一种离子束照射装置，其特征在于，所述离子束照射装置包括:盒，用于收纳多个基板；处理室，在该处理室内对所述基板进行离子束照射处理；基板输送部，在所述盒和所述处理室之间进行多次基板更换，所述基板更换是对收纳在所述盒内的未处理的基板与在所述处理室内经过离子束照射处理的处理过的基板进行更换；以及离子束供给部，产生离子束，并向所述处理室内供给所述离子束，与通过所述基板输送部进行的多次基板更换作业中的至少一次基板更换作业并行地， 对所述离子束供给部的运转参数进行设定变更并对所述离子束供给部内进行清洗。2.根据权利要求1所述的离子束照射装置，其特征在于，所述离子束照射装置还包括存储装置，该存储装置存储有用于清洗所述离子束供给部内的清洗用运转参数，在清洗所述离子束供给部内时，从所述存储装置读出所述清洗用运转参数。3.根据权利要求2所述的离子束照射装置，其特征在于，所述存储装置中存储有多个所述清洗用运转参数，根据所述离子束照射装置的运转时间、离子束照射条件以及在所述离子束供给部发生的放电次数中的任意一项，从所述存储装置读出所述清洗用运转参数。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的离子束照射装置，其特征在于，`所述离子束照射装置还包括离子束电流测量仪，该离子束电流测量仪设置在所述处理室内，对所述离子束的电流进行测量，从所述离子束供给部内的清洗结束起经过规定时间之后，开始利用...
【专利技术属性】
技术研发人员：松本武，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：
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