离子源装置及离子束生成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种离子源装置及离子束生成方法。该离子源装置具备如下结构，即在具有等离子体形成用空间的电弧室设置阴极，并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极。构成为，向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场，并构成为在所述反射极中，在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部，从该开口部引出离子束。

【技术实现步骤摘要】
离子源装置及离子束生成方法
本专利技术涉及一种离子源装置，例如适合于离子注入装置的离子源装置及离子束生成方法。
技术介绍
作为一种离子注入装置用离子源装置，已知有具备电子源及用于反射来自电子源的电子的反射极（repeller）的装置（专利文献1）。参考图3对离子源装置的一个例子进行说明。图3中，离子源装置具备具有等离子体形成用空间的电弧室20。电弧室20在正面侧的壁上具有前狭缝20-1，在侧面侧的壁上具有气源的导入部20-2。另外，离子源装置还在中间夹置电弧室20的等离子体形成用空间的对置位置的一侧设置有电子源，另一侧设置有反射极23。电子源包括灯丝21和阴极22。如图3B所示，前狭缝20-1的前方沿离子束的引出方向并列配置有具有使离子束通过的开口的抑制电极24和GND（接地）电极25。该离子源装置以如下方式运行。首先，用灯丝电源26使灯丝21发热而在灯丝21的前端产生热电子。以阴极电源27使产生的热电子进行加速而冲击阴极22，再以其冲击时所产生的热量对阴极22进行加热。被加热的阴极22产生热电子。所产生的热电子通过在阴极22和电弧室20之间施加的电弧电源28的电弧电压而被加速，并作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子束生成用离子源装置，其特征在于，具备如下结构，该结构为，在具有等离子体形成用空间的电弧室设置放射用于生成使中性分子电离的射束电子的热电子的阴极，并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极，该离子束生成用离子源装置构成为，向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场F，该离子束生成用离子源装置构成为，在所述反射极中，在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部，并从该开口部引出离子束。

【技术特征摘要】
2012.03.22 JP 2012-0647161.一种离子束生成用离子源装置，其特征在于，具备如下结构，该结构为，在具有等离子体形成用空间的电弧室设置放射用于生成使中性分子电离的射束电子的热电子的阴极，并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极，该离子束生成用离子源装置构成为，向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场F，该离子束生成用离子源装置构成为，在所述反射极中，在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部，并从该开口部引出离子束，所述开口部设置于与所述电弧室中的离子束的出口开口对置的部位，所述电弧室为筒状。2.根据权利要求1所述的离子源装置，其特征在于，所述离子束的引出方向与连结所述阴极和所述反射极的轴平行。3.根据权利要求1所述的离子源装置，其特征在于，所述开口部的形状及所述离子束的出口开口的形状分别为圆形。4.根据权利要求3所述的离子源装置，其特征在于，所述开口部与所述离子束的出口开口的大小相同或比所述离子束的出口开口小，且为不使形成于所述等离子体形成用空间的等离子体的密度下降的大小。5.根据权利要求3所述的离子源装置，其特征在于，具备能够使反射极向连结所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤正辉，
申请(专利权)人：斯伊恩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：