OTP器件的形成方法技术

一种OTP器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅，所述半导体基底上还形成有介质层，覆盖所述半导体基底的表面、选择栅和浮栅；在所述介质层的表面上依次形成抗反射层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图形化，定义出所述浮栅的图形；以所述图形化后的光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层和介质层进行刻蚀，至暴露出所述选择栅的表面；去除所述图形化后的光刻胶层；以所述抗反射层为掩膜，刻蚀去除所述半导体基底表面上剩余的介质层。本发明专利技术能够防止浮栅上方的介质层被刻蚀以致厚度过小的问题，有利于避免OTP器件的数据保持能力受到影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种OTP器件的形成方法。
技术介绍
一次可编程(OTP，One Time Programmable)器件是一种常用的存储器，属于只读存储器，由于只能进行一次编程，故此得名。OTP器件出厂时，一般存储内容都是0或1，用户可以根据自己的需要对其进行编程，将用户数据写入。OTP器件由于结构简单、易于使用、造价较低等优点，在微控制器(MCU，Micro Control Unit)等芯片中可以替代传统的电可擦写存储器(EPROM)，受到广泛的使用。图1至图3示出了现有技术的一种OTP器件的形成方法。参考图1，提供半导体基底10，所述半导体基底10上并列形成有选择栅(SG，Selective Gate)11和浮栅(FG，Floating Gate)12，此外还形成有介质层13，所述介质层13覆盖所述半导体基底10的表面和所述选择栅11和浮栅12。所述选择栅11和浮栅12的材料一般为多晶硅，所述介质层13的材料一般为氧化硅。所述介质层13用作金属硅化物阻挡层(SAB，Salicide Block)，用于后续金属硅化物的形成过程中防止在浮栅12上形成金属硅化本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＯＴＰ器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅，所述半导体基底上还形成有介质层，覆盖所述半导体基底的表面、选择栅和浮栅；在所述介质层的表面上依次形成抗反射层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图形化，定义出所述浮栅的图形；以所述图形化后的光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层和介质层进行刻蚀，至暴露出所述选择栅的表面；去除所述图形化后的光刻胶层；以所述抗反射层为掩膜，刻蚀去除所述半导体基底表面上剩余的介质层。

【技术特征摘要】
1.一种OTP器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅，所述半导体基底上还形成有介质层，覆盖所述半导体基底的表面、选择栅和浮栅；在所述介质层的表面上依次形成抗反射层和光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图形化，定义出所述浮栅的图形；以所述图形化后的光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层和介质层进行刻蚀，至暴露出所述选择栅的表面；去除所述图形化后的光刻胶层；以所述抗反射层为掩膜，刻蚀去除所述半导体基底表面上剩余的介质层。2.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的材料为不同于所述介质层的介质材料。3.根据权利要求2所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的材料为氮氧化硅。4.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙凌，黄庆丰，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31