【技术实现步骤摘要】
封装结构以及封装制程
本专利技术是有关于一种封装结构以及封装制程,且特别是有关于一种采用相邻 (side by side)晶片配置的封装结构以及封装制程。
技术介绍
系统级封装技术(SIP)是关于将晶圆级两种以上具有独立功能的晶片整合为单 一封装的技术,其优势不仅包括尺寸较小,还包括每个功能晶片都可以单独开发,因此系统 级封装技术具有比系统级晶片(SoC)更快的开发速度和更低的开发成本。堆叠式封装(Package on Package, POP)制程为系统级封装技术中常见的组装方 法,系将不同功能晶片的封装单元相互堆叠,例如将存储器晶片封装单元堆叠于逻辑晶片 封装单元上。然而,不同规格的各种存储器晶片封装单元通常具有不同的接脚布局。在不 进行额外之线路布局的调整下,下层晶片封装单元(如逻辑晶片封装单元)的接脚布局仅 能用于承载特定的存储器晶片封装单元。如此,相对限制了系统级封装技术的相容性与扩 充性。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装结构,可有效整合具有不同接脚布局的多个晶片模组,以提 高后续堆叠式封装制程的相容性与扩充性。本专利技术还提供前述封装结构的制程,用以整合具有不同接脚布局的多个晶片模 组,以提供良好的相容性与扩充性。为具体描述本
技术实现思路
,在此提出一种封装结构,包括一线路基板、一第一晶片模 组、一第二晶片模组以及一封装胶体。线路基板具有一承载表面,而第一晶片模组与第二晶 片模组相邻地配置于承载表面上。第一晶片模组具有多个第一对外接点,且每两相邻的第 一对外接点之间具有一第一间距。第二晶片模组具有多个第二对外接点,且每两相邻的第 二对外接点之间 ...
【技术保护点】
一种封装结构,包括:一线路基板,具有一承载表面;一第一晶片模组,配置于该承载表面上,该第一晶片模组具有多个第一对外接点,且每两相邻的第一对外接点之间具有一第一间距;一第二晶片模组,该第一晶片模组与该第二晶片模组相邻地配置于该承载表面上,该第二晶片模组具有多个第二对外接点,且每两相邻的第二对外接点之间具有一第二间距,其中该第一间距大于该第二间距;以及,一封装胶体,配置于该承载表面上,该封装胶体覆盖该第一晶片模组以及该第二晶片模组,且该封装胶体具有多个第一开孔以及多个第二开孔,所述第一开孔分别暴露出所述第一对外接点,而所述第二开孔分别暴露出所述第二对外接点。
【技术特征摘要】
1.一种封装结构,包括一线路基板,具有一承载表面;一第一晶片模组,配置于该承载表面上,该第一晶片模组具有多个第一对外接点,且每 两相邻的第一对外接点之间具有一第一间距;一第二晶片模组,该第一晶片模组与该第二晶片模组相邻地配置于该承载表面上,该 第二晶片模组具有多个第二对外接点,且每两相邻的第二对外接点之间具有一第二间距, 其中该第一间距大于该第二间距;以及,一封装胶体,配置于该承载表面上,该封装胶体覆盖该第一晶片模组以及该第二晶片 模组,且该封装胶体具有多个第一开孔以及多个第二开孔,所述第一开孔分别暴露出所述 第一对外接点,而所述第二开孔分别暴露出所述第二对外接点。2.根据权利要求1所述的封装结构,其中该第一晶片模组包括一第一晶片,配置于该承载表面上,该线路基板具有多个第一焊垫配置于该第一晶片 外围的该承载表面上,且该第一晶片电性连接到所述第一焊垫;以及多个第一焊球,分别配置于所述第一焊垫上,以作为所述第一对外接点。3.根据权利要求2所述的封装结构,还包括一第一外部元件,配置于该第一晶片上方 并且接合至所述第一对外接点。4.根据权利要求2所述的封装结构,其中该第二晶片模组包括一第二晶片,配置于该承载表面上,该线路基板具有多个第二焊垫配置于该第二晶片 外围的该承载表面上,且该第二晶片电性连接到所述第二焊垫;以及,多个第二焊球,分别配置于所述第二焊垫上,以作为所述第二对外接点。5.根据权利要求2所述的封装结构,其中该第二晶片模组包括一第二晶片,配置于该承载表面上,且该第二晶片的一顶面具有多个第二焊垫;以及, 多个第二焊球,分别配置于所述第二焊垫上,以作为所述第二对外接点。6.根据权利要求1所述的封装结构,其中该第一晶片模组包括一第一晶片,配置于该承载表面上,且该第一晶片的一顶面具有多个第一焊垫;以及, 多个第一焊球,分别配置于所述第一焊垫上,以作为所述第一对外接点。7.根据权利要求6所述的封装结构,其中该第二晶片模组包括一第二晶片,配置于该承载表面上,该线路基板具有多个第二焊垫配置于该第二晶片 外围的该承载表面上,且该第二晶片电性连接到所述第二焊垫;以及,多个第二焊球,分别配置于所述第二焊垫上,以作为所述第二对外接点。8.根据权利要求6所述的封装结构,其中该第二晶片模组包括一第二晶片,配置于该承载表面上,且该第二晶片的一顶面具有多个第二焊垫;以及, 多个第二焊球,分别配置于所述第二焊垫上,以作为所述第二对外接点。9.一种封装制程...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙余青,吴发豪,陈光雄,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。