导电结构的制程制造技术

本发明专利技术提出了一种导电结构的制程，应用于一显示面板，包含：提供一基板；形成一绝缘层在基板上；形成多个凹槽在绝缘层里；以及形成导电走线在每一凹槽里。根据本发明专利技术所提出的导电结构的制程，可以避免有机光阻流体流经金属壁，使有机光阻流体流经导电走线区时不受导电走线影响，从而使得有机光阻流体得以顺利流过导电走线区，进而可以避免产生放射状斜纹。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种导电结构，且特别是有关于一种应用于显示面板的导电结构的制程。
技术介绍
由于低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管液晶显示器 ((Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD))具有高分辨率、高色彩饱和度、成本低廉的优势，被寄予厚望成为新一波的显示器。藉由其高电路整合特性与低成本的优势，在中小尺寸显示面板的应用上有着绝对的优势。在LTPS TFT-LCD的线路区(导电结构)制程中，当面板完成切裂制程时，线路区的金属走线是裸露出来的，在后续制程中可能会对走线造成破坏，因此会在金属电路走线上覆盖极厚的保护层，目前可作极厚保护层的材质为高分子有机光阻，利用旋转涂布方式将光阻覆盖于金属电路走线上。旋转涂布方式的优点在于能将光阻均勻覆盖金属电路走线上，另外，也能够调整旋转涂布条件来获得理想膜厚，但是，采用旋转涂布方式使得多余有机光阻会被甩掉造成浪费，另外，也会因为电路走线图案而使基板边缘产生放射状斜纹。详述之，参照图1，图1绘示了现有的导电结构的截面示意图，如图1所示，对于导电结构100，包含基板110、绝缘层120、金属走线130(斜线填充图案)及保护层140，其中， 绝缘层120设置于基板110上，金属走线130设置在绝缘层120上，保护层140设置在金属走线130及绝缘层120上，且保护层140的材质为有机光阻。金属走线130设置在绝缘层 120上时会设计成规律间距的金属壁131，当有机光阻(可视为流体)旋转涂布在这些金属走线130上时，因旋转会产生离心力，使光阻往边缘方向移动，移动过程中，当有机光阻接触到金属走线130所形成的金属壁131时，光阻会沿金属壁131的走向流动。另，金属走线 130均设计有一个折角(图中未示)，因此有机光阻行经此折角处时，有机光阻会沿折角两侧的金属壁131流动，当两股有机光阻汇流至折角时，会溢流至下一个折角，下一个折角也有本身的两股有机光阻汇流，导致三股有机光阻汇流再溢流至下一个折角，如此汇集所有折角的溢流直到最后一个折角处，就会形成一股光阻量较大的溢流流至基板的边缘(图中未示)，因该溢流的光阻量较大，致外观可见明显的放射状斜纹产生。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的一方面提出了一种导电结构的制程，应用于一显示面板，包含提供一基板；形成一绝缘层在基板上；形成多个凹槽在绝缘层里；以及形成导电走线在每一凹槽里。优选地，上述绝缘层透过黄光刻蚀以形成上述凹槽。优选地，上述导电走线与上述绝缘层的上表面呈一平坦状。优选地，上述导电走线的材质为金属或导电透明材质。优选地，上述在上述导电走线及上述绝缘层上还形成一保护层。优选地，上述上述保护层的材质为有机材质。优选地，上述有机材质为高分子有机光阻。 优选地，上述保护层透过旋转涂布方式形成于上述导电走线及上述绝缘层上。优选地，上述基板为电晶体阵列基板。本专利技术的另一方面提出了一种导电结构的制程，应用于一显示面板，包含提供一基板；形成一绝缘层在基板上；形成一凹槽在绝缘层里；形成导体层于凹槽里；图案化导体层以形成多个导电走线；以及形成一平坦层于多个导电走线之间，平坦层与多个导电走线等尚。优选地，上述绝缘层透过黄光刻蚀以形成上述凹槽。优选地，上述导电走线与上述绝缘层的上表面呈一平坦状。优选地，上述导电走线的材质为金属或导电透明材质。优选地，上述在上述导电走线及上述绝缘层上还形成一保护层。优选地，上述上述保护层的材质为有机材质。优选地，上述有机材质为高分子有机光阻。优选地，上述保护层透过旋转涂布方式形成于上述导电走线及上述绝缘层上。优选地，上述基板为电晶体阵列基板。根据本专利技术所提出的导电结构的制程，可以避免有机光阻流体流经金属壁，使有机光阻流体流经导电走线区时不受导电走线影响，从而使得有机光阻流体得以顺利流过导电走线区，进而可以避免产生放射状斜纹。附图说明图1所绘示为现有导电结构的截面示意图；图2A至2E，其绘示本专利技术的一实施方式的导电结构制程的剖面示意图；图3A至3G，其绘示本专利技术的另一实施方式的导电结构制程的剖面示意图；图4A至4F，其绘示本专利技术的又一实施方式的导电结构制程的剖面示意图；图5A至5E，其绘示本专利技术的再一实施方式的导电结构制程的剖面示意图。具体实施例方式以下将以附图及详细说明来清楚阐释本专利技术的实施方式，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示。图2A至2E，其绘示本专利技术的一实施方式的导电结构制程的剖面示意图。首先，请参照图2A，提供一基板210，其中基板210可以为电晶体阵列基板。然后，请参照图2B，在基板210上形成一绝缘层220。接着，请参照图2C，在绝缘层220里形成多个凹槽230，在本实施方式中，可以采用黄光刻蚀方式来形成凹槽230，每一凹槽230的尺寸相同且间距相等，需说明的是，对于凹槽230的个数并不限定。之后，请参照图2D，在每个凹槽230中对应填充一导电走线MO。导电走线MO的宽度可以刚好与凹槽230的宽度相等，还可以小于凹槽230的宽度，在本实施方式中，较佳地，导电走线MO的宽度刚好与凹槽230的宽度相等，但是，需说明的是，这里的导电走线240的宽度并不是由凹槽230的宽度来决定的，相反，在形成凹槽230时，会预先根据导电走线240的宽度来确定凹槽的宽度。另，导电走线240的高度与凹槽230的深度大致相等。 在本实施方式中，导电走线240的形成方式是形成导体层(未绘示)于凹槽230之内，再对导体层进行研磨以移除高出绝缘层220的上表面的部分导体层以形成导电走线M0，因此， 导电走线240与绝缘层220的上表面呈一平坦状，即在同一水平面上。再，导电走线240的材质可以是金属，也可以是导电的透明材质，在本实施方式中，较佳地，导电走线MO的材质为金属材质，即导电走线MO为金属走线。继而，请参照图2E，在导电走线240及绝缘层220的上面形成一保护层250。保护层250的材质可以是有机材质，在本实施方式中，较佳地，为高分子有机光阻，并且，采用旋转涂布高分子有机光阻在导电走线240及绝缘层220上以形成保护层250。在本实施方式中，由于导电走线MO的两侧面被绝缘层220覆盖着，因此，当在旋转涂布高分子有机光阻在导电走线240上时，高分子有机光阻并不会沿着导电走线240的边沿流动，因而也不会受到因旋转所产生的离心力的影响而向导电走线MO的两侧的壁流动，进而可以避免放射状斜纹产生。图3A至3G，其绘示本专利技术的另一实施方式的导电结构制程的剖面示意图。首先，请参照图3A，提供一基板310，其中基板310可以为电晶体阵列基板。然后，请参照图:3B，在基板310上形成一绝缘层320。接着，请参照图3C，在绝缘层320里形成一凹槽330，在本实施方式中，可以采用黄光刻蚀方式来形成凹槽330。之后，请参照图3D，形成一导体层340于凹槽330里。导体层340的高度与凹槽 330的深度大致相等，在本实施方式中，可以采用研磨方式实现，即，对导体层340进行研磨以移除高出绝缘层320的上表面的部分以使导体层340与绝缘层320的上表面呈一平坦状，即在同一水平面上。另，导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段继贤，陈枝汶，余建城，赖骏凯，许晏华，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：