覆晶封装结构及其制程制造技术

本发明专利技术揭示一种覆晶封装结构和封装制程。覆晶封装结构包括一芯片承载 器、一芯片、多个凸块、一非导电胶体以及一挡墙。芯片承载器具有多个第一 接点。芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上的焊垫，其中这些焊垫配 置于芯片的有源表面的一中心区域内。凸块配置于焊垫上以使第一接点与焊垫 电性连接。非导电胶体配置于芯片与芯片承载器之间以包覆凸块。挡墙配置于 芯片与芯片承载器之间，且位于被非导电胶体包覆的凸块周边，而且挡墙与有 源表面的部分区域接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种芯片封装结构及其制程，且特别是有关于一种可防止 配置于芯片承载器上的芯片倾斜的芯片封装结构及其制程。
技术介绍
在现今的资讯社会中，均追求高速度、高品质、多工能性的产品，而就产 品外观而言，是朝向轻、薄、短、小的趋势迈进。 一般电子产品均具有芯片及与芯片连接的基板(例如芯片承载器)，芯片主要可通过打线接合(wire bonding, WB)技术、覆晶接合(flip chip， FC)技术或是巻带自动接合(tape automated bonding, TAB)技术与基板电性连接。而现有覆晶接合及巻带自动接合封装技术 中，芯片的有源表面上主要配置有多个凸块，芯片透过凸块与基板电性连接， 然后在芯片与基板之间会填充一封胶体(encapsulant)以保护凸块且增加芯片 和基板的接合度。因芯片是通过凸块从基板接收到信号或传送信号到基板，所以凸块与基板 之间接合的可靠度对于芯片与基板之间的信号传输品质有决定性的影响。 一般 而言，凸块可视需求而配置于芯片的有源表面的中心区域或者是周边区域。当 凸块需配置于芯片的有源表面的中心区域时，凸块将位于芯片的多个中心焊垫 上。图1绘示现有的具有中心焊垫的覆晶封装结构的剖面图。请参照图1，覆 晶封装结构100具有一芯片承载器110、 一芯片120、多个凸块130 (于图1中 仅绘示一个凸块130做为代表)以及一封胶体140。其中，芯片120配置于芯 片承载器110上。芯片120具有多个中心焊垫122，这些中心焊垫122配置于 芯片120的有源表面124的一中心区域F内。凸块130配置于中心焊垫122上， 并电性连接于芯片120以及芯片承载器110之间，也就是说凸块130也是配置 于芯片120的有源表面124的中心区域F内。封胶体140配置于芯片120以及130。于现有技术中，封胶体140的材质为液态胶材时，制作覆晶封装结构100 的方法为先将芯片120与芯片承载器110接合，之后再以点胶方式涂布于芯片 120周边，并利用毛细作用使其流入芯片120与芯片承载器IIO之间。然而， 以此种方法需先将芯片120固定于芯片承载器110后才填入封胶体140，且凸 块130配置于芯片120的有源表面124的中心区域F内，因此将芯片120与芯 片承载器IIO接合时容易有倾斜问题。此外，封胶体140需透过毛细现象填充 于芯片120与芯片承载器IIO之间，因此封胶体140容易因为不易填满芯片120 与芯片承载器IIO之间而产生孔隙且需时较久。而后，随着业界于材料与制程上的不断研发，非导电胶体(Non-conductive paste, NCP)亦可被用做为封胶体140。当封胶体140的材质为非导电胶体时， 制作覆晶封装结构100的方法可以是先在芯片承载器110上涂布封胶体140， 然后再将芯片120配置于芯片承载器IIO上使凸块130与芯片承载器IIO连接。 然而，此方法容易因封胶体140的表面不平坦而造成芯片120倾斜，且封胶体 140容易溢流并产生孔洞。
技术实现思路
本专利技术提出一种覆晶封装结构，可避免现有芯片易于倾斜、非导电胶体容 易溢流及产生气泡或液态胶材不易填满的问题。本专利技术另提出一种覆晶封装制程，可于芯片接合至芯片承载器时使芯片获 得支撑而不易倾斜，且可防止非导电胶体溢流。为具体描述本专利技术的内容，在此提出一种覆晶封装结构包括一芯片承载 器、 一芯片、多个凸块、 一非导电胶体(non-conductive paste)以及一挡墙。 芯片承载器具有多个第一接点。芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上 的焊垫，其中焊垫配置于有源表面的一中心区域内。凸块配置于焊垫上以使第 一接点与焊垫电性连接。非导电胶体配置于芯片与芯片承载器之间以包覆凸块。挡墙配置于芯片与芯片承载器之间，且位于被非导电胶体包覆的凸块周边， 而且挡墙与有源表面的部分区域接触。在本专利技术的一实施例中，芯片承载器包括一可挠性电路板。在本专利技术的一实施例中，可挠性电路板是由聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚 酯类化合物(polyethylene terephthalate, PET)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide, PEI)或纸所制成。在本专利技术的一实施例中，可挠性电路板具有多条铜箔引线，且这些第一接 点为这些铜箔引线的端部。在本专利技术的一实施例中，凸块包括多个金凸块、多个铜凸块或多个锡铅凸块。在本专利技术的一实施例中，凸块包括多个结线凸块或多个电镀凸块。在本专利技术的一实施例中，挡墙包括多个条状阻挡图案，且各条状阻挡图案 的边缘与芯片的边缘切齐。在本专利技术的一实施例中，挡墙包括一环状阻挡图案，且环状阻挡图案的外 缘与芯片的边缘切齐。在本专利技术的一实施例中，挡墙的材质包括二阶段热固性胶体或防焊材料。在本专利技术的一实施例中，非导电胶体与挡墙连接。在本专利技术的一实施例中，芯片承载器具有多个第二接点，且第一接点与第 二接点分别位于芯片承载器的二相对表面上并对应电性连接。在本专利技术的一实施例中，覆晶封装结构还包括多个焊球，且焊球与第二接 点电性连接。为具体描述本专利技术的内容，在此提出一种覆晶封装制程。首先，提供一芯 片，芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上的焊垫。接着，于芯片的焊 垫上形成多个凸块。然后，于有源表面上形成一挡墙，挡墙避开凸块形成区域 围出一区块。之后，于区块内的有源表面上形成一非导电胶体，以包覆凸块。 然后，令芯片通过凸块与一芯片承载器电性连接。在本专利技术的一实施例中，挡墙的材质包括二阶段热固性胶体，而令芯片与 芯片承载器电性连接的方法可以是先部分固化二阶段热固性胶体，以使二阶段 热固性胶体形成B阶胶体。然后，翻转芯片，以使芯片通过凸块与芯片承载器 电性连接。之后，固化B阶胶体与非导电胶体以使芯片粘着于芯片承载器上。在本专利技术的一实施例中，挡墙的材质包括防焊材料，而令芯片与芯片承载 器电性连接的方法可以是先翻转芯片，以使芯片通过凸块与芯片承载器电性连接。然后，固化非导电胶体，使芯片粘着于芯片承载器上。在本专利技术的一实施例中，覆晶封装制程还包括于芯片承载器上形成多个焊 球，其中焊球与芯片分别位于芯片承载器的二相对表面。为具体描述本专利技术的内容，在此提出一种覆晶封装制程。首先，提供一芯 片，芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上的焊垫。接着，于芯片的焊 垫上形成多个凸块。然后，于一芯片承载器上形成一挡墙。之后，于挡墙所围 出的一区块内的芯片承载器上形成一非导电胶体。然后，令芯片通过凸块与芯 片承载器电性连接，以使非导电胶体包覆凸块，且挡墙位于被非导电胶体包覆 的凸块周边。在本专利技术的一实施例中，挡墙的材质包括二阶段热固性胶体，而令芯片与 芯片承载器电性连接的方法可以是先部分固化二阶段热固性胶体，以使二阶段 热固性胶体形成B阶胶体。接着，翻转芯片，以使芯片通过凸块与芯片承载器电性连接。然后，固化B阶胶体与非导电胶体，使芯片粘着于芯片承载器上。在本专利技术的一实施例中，挡墙的材质包括防焊材料，而令芯片与芯片承载 器电性连接的方法可以是先翻转芯片，以使芯片通过凸块与芯片承载器电性连 接。然后，固化非导电胶体以使芯片粘着于芯片承载器上。在本专利技术的一实施例中，覆晶封装制程还包括于芯片承载器上形成多个焊 球，而且焊球与芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶封装结构，包括：　一芯片承载器，具有多个第一接点；　一芯片，具有一有源表面以及多个位于该有源表面上的焊垫，其中该些焊垫配置于该有源表面的一中心区域内；　多个凸块，配置于该些焊垫上，使该些第一接点与该些焊垫电性连接；一非导电胶体，配置于该芯片与该芯片承载器之间以包覆该些凸块；以及　一挡墙，配置于该芯片与该芯片承载器之间，且位于被该非导电胶体包覆的该些凸块周边，其中该挡墙与该有源表面的部分区域接触。

【技术特征摘要】
1.一种覆晶封装结构，包括一芯片承载器，具有多个第一接点；一芯片，具有一有源表面以及多个位于该有源表面上的焊垫，其中该些焊垫配置于该有源表面的一中心区域内；多个凸块，配置于该些焊垫上，使该些第一接点与该些焊垫电性连接；一非导电胶体，配置于该芯片与该芯片承载器之间以包覆该些凸块；以及一挡墙，配置于该芯片与该芯片承载器之间，且位于被该非导电胶体包覆的该些凸块周边，其中该挡墙与该有源表面的部分区域接触。2. 如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该芯片承载器包括一 可挠性电路板。3. 如权利要求2所述的覆晶封装结构，其特征在于，该可挠性电路板具有 多条铜箔引线，且该些第一接点为该些铜箔引线的端部。4. 如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该挡墙包括多个条状 阻挡图案，且各该条状阻挡图案的边缘与该芯片的边缘切齐。5. 如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该挡墙包括一环状阻 挡图案，且该环状阻挡图案的外缘与该芯片的边缘切齐。6. 如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该挡墙的材质包括二 阶段热固性胶体或防焊材料。7. 如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该非导电胶体与该挡 墙连接。8. 如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该芯片承载器具有多 个第二接点，且该些第一接点与该些第二接点分别位于该芯片承载器的二相对 表面上并对应电性连接。9. 一种覆晶封装制程，包括提供一芯片，该芯片具有一有源表面以及多个位于该有源表面上的焊垫； 于该芯片的该些焊垫上形成多个凸块；于该有源表面上形成一挡墙，该挡墙避开该些凸块形成区域围出一区块；于该区块内的该有源表面上形成一非导电胶体，以包覆该些凸块；以及令该芯片通过该些凸块与一芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘光华，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71