一种大功率芯片的封装结构及其专用芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率芯片的封装结构及其专用芯片，封装结构包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，还包括一用于连接芯片与导电基材的导电连接件。导电连接件可以为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜；所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接芯片以及导电基材。导电连接件还可以为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。与现有技术相比，本实用新型专利技术将导电连接件覆盖在芯片和导电基材上，无需在芯片上制作电极、焊盘，具有下列优势：1、取消了顶部电极，减少了遮光，提高了单芯光通量；2、电流密度大，可以增加电流；3、薄膜封装，实现轻薄；4、无金线连接，增加了器件的稳定性；5、简化了工艺，降低了成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片封装结构，尤其涉及一种大功率芯片的封装结构及其专πρ -H- LL用心片。
技术介绍
在当前全球能源短缺的忧虑再度提升的背景下，节约能源是我们未来面临的重 要问题，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将进入以 LED为代表的新型照明光源时代。LED是继白炽灯，荧光灯，高压灯后的第四代照明，具有节 能，环保，寿命长，体积小等特点，可以广泛应用于各种指示，显示，装饰，背光源，普通照明 和城市夜景等领域。大功率LED封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到LED的使用性能和寿命，一直 是近年来的研究热点。LED封装的功能主要包括1、机械保护，提高可靠性；2、加强散热，以 降低晶片结温；3、光学控制，提高出光效率，优化光束分布；4、供电管理，包括交流/直流转 变，以及电源控制等。传统的LED芯片封装结构分为(1)横向结构(2)垂直结构(3)倒 装结构(4)通孔垂直结构。其中第一种横向封装结构及第二种垂直封装结构的LED芯片与 基材的连接主要以打金线连接为主，横向结构是双电极，垂直结构是单电极。打金线的连接 方式的缺点是；金线连接容易出现虚焊，在改变温度的情况下器件不是很稳定，金线也造成 一部份遮光现象。对于第三种倒装结构，虽然不是打线的，但是焊点面积太小不容易散热。 对于第四种通孔垂直结构，是前三种芯片封装结构中最理想的，无须打线，散热佳，但是芯 片的工艺复杂，价格高，量产有一定的难度。另外，传统的大功率芯片的封装结构需要在芯 片上制作焊接盘，封装过程复杂，封装成本较高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种大功率芯片的封装结构及其专用芯 片，该封装结构将涂布或印刷有透明电极材料的导电连接件覆盖在芯片和导电基材上，无 需在芯片上制作电极、焊盘，不但使芯片本身更为轻薄，成本更低，而且使封装更为简单方 便。为了达到上述目的，本技术提出了一种大功率芯片的封装结构，包括基板、焊 接在所述基板上的芯片、导电基材，还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连 接件。进一步地，所述导电连接件为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜；所述树 脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接所述芯片以及所述导电基材。进一步地，所述导电连接件为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。进一步地，所述基板为极性基板，所述芯片焊接在所述基板的正极，所述导电基材 焊接在所述基板的负极。进一步地，所述透明电极材料指导电油墨或纳米银导电胶或涂布型ITO (铟锡氧化物半导体透明导电膜)导电颗粒。进一步地，所述树脂薄膜是指PET或PVC薄膜。进一步地，所述芯片与所述导电基材在所述基板上的高度相同，所述导电基材为 铜。本技术还提供了 一种专用于该封装结构的芯片，所述芯片表面上设有正负电 极。与现有技术相比，由于专用芯片上的电极直接显露在芯片表面，因此无需再在芯 片上制作电极以及焊盘，封装时直接将导电连接件覆盖在芯片和导电基材上，具有下列优 势1、取消了顶部电极，减少了遮光，提高了单芯光通量；2、电流密度大，可以增加电流；3、薄膜封装，实现轻薄；4、无金线连接，增加了器件的稳定性；5、简化了工艺，降低了成本。附图说明通过以下结合附图对其示例性实施例进行的描述，本技术上述特征和优点将 会变得更加清楚和容易理解。图1为现有技术的大功率芯片俯视示意图；图2为本技术的大功率芯片的俯视示意图；图3为本技术大功率芯片封装结构示意图。附图符号说明1-基板，2-芯片，3-导电基材，4-透明电极材料，5-导电连接件，6—焊盘，7—电极。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。由图1可以看出，现有技术中大功率芯片包括芯片2、电极7以及焊盘6。而本实用 新型的专用芯片的N面顶部如图2所示，可以直接通过导电连接件5与芯片2连接，不需要 在芯片顶部设置顶部电极7以及焊盘6，这样在制作工艺上会节约工序，封装也更为方便。如图3所示，采用该专用芯片的大功率芯片封装结构包括基板1、焊接在基板1上 的芯片2、导电基材3，还包括一用于连接芯片2与导电基材3的导电连接件5。导电连接件 5为一涂布或印刷有透明电极材料4的树脂薄膜；树脂薄膜可以为PET (聚对苯二甲酸乙二 醇酯)，PVC (聚氯乙烯)或者其他透明塑料，树脂薄膜带有透明电极材料4的一面分别连接 芯片2以及导电基材3，透明电极材料4可以是导电油墨、纳米银导电胶、涂布型ITO (铟锡 氧化物半导体透明导电膜)导电颗粒或者高分子导电物。导电连接件5还可以是一涂布或 印刷有透明导电油墨的导电玻璃。基板1为极性基板，芯片2焊接在基板1的正极，导电基 材3焊接在基板1的负极。优选的，导电基材3为铜。导电基材3也可以是其他导电金属。 芯片1与导电基材3在基板1上的高度相同。本技术大功率芯片封装结构的封装工艺，包括以下步骤SOl 将芯片2的P面焊接在基板1的正极上，将导电基材3焊接在基板1的负极 上；S02 在树脂薄膜上涂布或者印刷透明电极材料4 ；S03 将树脂薄膜覆盖有透明电极材料4的一面分别与芯片2和导电基材3连接。上述封装工艺，步骤一中还包括将焊接在基板1上的芯片2和导电基材3处理为 相同高度。上述涂布或者印刷有透明电极材料的树脂薄膜也可以用涂布或者印刷有透明导 电油墨的导电玻璃替代，将导电玻璃覆盖有透明导电油墨的一面分别与芯片2和导电基材 3连接。需要注意的是，以上内容是结合具体的实施方式对本技术所作的进一步详细 说明，不能认定本技术的具体实施方式仅限于此，在本技术的上述指导下，本领域 技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本实 用新型的保护范围内。权利要求1.一种大功率芯片的封装结构，包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，其特 征在于还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件。2.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于 所述导电连接件为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜；所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接所述芯片以及所述导电基材。3.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于 所述导电连接件为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。4.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于所述基板为极性基板，所述芯片焊接在所述基板的正极，所述导电基材焊接在所述基 板的负极。5.根据权利要求2所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于 所述透明电极材料指导电油墨或纳米银导电胶或涂布型ITO导电颗粒。6.根据权利要求2所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于 所述树脂薄膜是指PET或PVC薄膜。7.根据权利要求1所述的大功率芯片的封装结构，其特征在于所述芯片与所述导电基材在所述基板上的高度相同，所述导电基材为铜。8.一种专用于权利要求1至7中任一权项所述封装结构的芯片，其特征在于 所述芯片表面上设有正负电极。专利摘要本技术公开了一种大功率芯片的封装结构及其专用芯片，封装结构包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，还包括一用于连接芯片与导电基材的导电连接件。导电连接件可以为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜；所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种大功率芯片的封装结构，包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，其特征在于：还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马春军，
申请(专利权)人：马春军，
类型：实用新型
国别省市：31