【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶片封装方法。
技术介绍
如图1及图2所示,现有晶片1封装方式是采用回焊(FC)封装体采用基板4上沾助焊剂2,基板4底下设置有锡球5,封装过程回焊烘烤, 助焊剂清洗三道制程,但缺点是成本高,费工费时。回焊(FC) 封装体只适用于宽间隙(Wide Pitch) bumps 晶片封装,不适合于细间隙(Fine Pitch) bumps 晶片封装(沾助焊剂锡凸点经回焊炉烘烤后,锡会随助焊剂热扩散,细间隙((Fine Pitch), Cu trace to Cu trace<60um铜线与铜线间距离小于60um)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述现有技术的缺陷,提供一种可减少封装流程,降低封装成本及增加封晶片封装适用率的晶片封装方法。为了达成上述目的,本专利技术的解决方案是:一种晶片封装方法,包括以下步骤:步骤1:利用晶圆切割机将晶圆切割,再利用上片设备吸取晶片,晶片的锡凸点沾上助焊剂;步骤2:利用胶材涂印机将非导电胶利用钢板印刷及橡胶头转印或气阀喷印涂布在基板正面;步骤3:利用锡熔后焊接技术以摄氏290至300度直接将锡凸点焊接于基板铜垫;步骤4:将上片后材料烘烤,电浆清洗及树脂模压封装,即完成锡熔后焊接封装体。进一步,步骤2中所述胶材涂印机是用钢板印刷及胶头转印方式将非导电胶涂布在基板正面。进一步,步骤2中所述胶材涂印机是用气阀喷印方式将非导电胶涂布在基板正面。进一步,步骤3中所述锡熔后焊接的加热温度为295度。本专利技术晶片封装方法于电子基板表面涂布一层非导电胶(NCP),藉以消除基板表面的有机保焊膜,并阻碍助焊剂热扩散(缩 ...
【技术保护点】
一种晶片封装方法,包括以下步骤:步骤1:用晶圆切割机将晶圆切割,利用上片设备吸取晶片,利用烤箱设备使晶片产生凸点并沾上助焊剂;步骤2:利用胶材涂印机将非导电胶涂布在基板正面;步骤3:利用锡熔后焊接将温度加热到摄氏290‑300度,然后直接将锡凸点焊接于基板铜垫;步骤4:将上片后材料烘烤、电浆清洗及树脂模压封装,即完成锡熔后焊接封装体。
【技术特征摘要】
1.一种晶片封装方法,包括以下步骤:步骤1:用晶圆切割机将晶圆切割,利用上片设备吸取晶片,利用烤箱设备使晶片产生凸点并沾上助焊剂;步骤2:利用胶材涂印机将非导电胶涂布在基板正面;步骤3:利用锡熔后焊接将温度加热到摄氏290-300度,然后直接将锡凸点焊接于基板铜垫;步骤4:将上片后材料烘烤、电浆清洗及树脂模压封装,即完成锡熔后焊接封装体。...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘正仁,
申请(专利权)人:双峰发展顾问有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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