半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法、半导体器件以及配 线基板。在半导体器件的制造方法中，把半导体芯片安装在支撑板上， 使该半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧露出来。形成绝缘层以 覆盖半导体芯片的设置有端子电极的一侧。形成与端子电极连接并穿 透绝缘层的穿通电极。在绝缘层上形成与穿通电极连接的金属配线。 形成与金属配线连接的外部端子电极。作为第二间隔的相邻外部端子 电极之间的间隔大于作为第一间隔的相邻端子电极之间的间隔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板。 更具体地说，本专利技术涉及使半导体芯片的端子电极间隔与配线基板的 端子电极间隔一致的半导体器伴的制造方法、半导体器件以及配线基 板。
技术介绍
随着无处不在的网络社会的到来，对减小电子设备的尺寸和重 量的需求以及使电子设备具有更快的速度和更强的性能的需求逐渐 增加。尤其是，伴随着更精细的半导体设计规则技术的发展，形成IC (例如LSI系统)的半导体芯片的集成度也越来越高。半导体芯片 的端子电极(管脚)数量随着集成度的提高而增加。因此，当半导体芯片的管脚数量越来越多时，半导体芯片的端 子电极间隔(节距)变窄。例如，当在0.35|im代的设计规则中必须 使用约60pm的窄节距时，lOO)im、 70|im、 50pm等窄节距就变得很 普遍了。另一方面，在安装这种半导体芯片的配线基板中，以C4凸点节 距为代表的相邻端子电极之间的间隔很大(约100pm-200|am)。很 难制造与上述lOOium、 70pm、 50|am等窄节距相匹配的配线基板。因 此，用于将上述半导体芯片安装在配线基板上并且进行电连接的工艺 变得非常重要，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：　半导体芯片安装步骤：把半导体芯片安装在支撑板上，并使所述半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧露出来；　绝缘层形成步骤：形成绝缘层以覆盖所述半导体芯片的设置有多个端子电极的一侧；　穿通电极形 成步骤：形成穿通电极，所述穿通电极与所述端子电极连接并穿透所述绝缘层；　金属配线形成步骤：在所述绝缘层上形成与所述穿通电极连接的金属配线；以及　外部端子电极形成步骤：在所述金属配线上形成用于使所述金属配线与外部连接的外部端子电极 ，　其中，相邻的所述外部端子电极之间的间隔大于相邻的所述端子电极之间的间隔。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀内章夫，宫坂俊次，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP