【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体涉及半导体装置，且更明确地说涉及一种适合用作其它装置(例如，同 步降压式转换器)的建置区块的双侧冷却集成晶体管模块及其制造方法。
技术介绍
同步降压式转换器用作手机、便携式计算机、数码相机、路由器和其它便携式电子 装置的电源。同步降压式转换器使DC电压电平移位以便向可编程栅极阵列集成电路、 微处理器、数字信号处理集成电路和其它电路提供功率，同时使电池输出稳定、过滤噪 声并减少纹波。这些装置还用于在广范围的数据通信、电信、负载点和计算应用中提供 高电流多相功率。图1展示典型同步降压式转换器的框图。所述转换器具有由PWM IC上的控制器控 制的高侧FETQ1和低侧FETQ2。 Ql和Q2装置可配置为离散装置，其需要最佳布局以 减小由PCB衬底上高侧FET漏极连接到低侧FET源极引起的寄生电感。专利技术者Joshi 等人2005年12月29日公开的第2005/0285238 A1号美国专利申请公开案揭示一种包含 界定低侧区和高侧区的引线框的集成晶体管模块。低侧晶体管安装在低侧区，其漏极电 连接到低侧区。高侧晶体管安装在高侧区，其源极电连接到高侧区。引线框...
【技术保护点】
一种集成晶体管模块，其包括： 引线框，其具有第一和第二间隔垫以及位于所述第一与第二垫之间的一个或一个以上共同源极－漏极引线； 第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二垫，其中所述第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极－漏极引线；以及 第一夹片，其附接到所述第一晶体管的漏极且电连接到所述一个或一个以上共同源极－漏极引线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.5.19 US 60/802,181;2007.4.26 US 11/740,475;201. 一种集成晶体管模块，其包括引线框，其具有第一和第二间隔垫以及位于所述第一与第二垫之间的一个或一个以上共同源极-漏极引线；第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二垫，其中所述第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；以及第一夹片，其附接到所述第一晶体管的漏极且电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线。2. 根据权利要求1所述的模块，其中所述第一和第二晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。3. 根据权利要求1所述的模块，其中所述第一和第二晶体管分别是作为降压式转换器 的组件的高侧和低侧功率晶体管。4. 根据权利要求1所述的模块，其中所述引线框包含位于所述第二垫的外侧上的一个 或一个以上漏极引线，且所述模块包含第二夹片，所述第二夹片附接到所述第二晶 体管的漏极且电连接到位于所述第二垫的所述外侧上的所述一个或一个以上漏极 引线。5. 根据权利要求1所述的模块，其中所述引线框、所述晶体管和所述夹片囊封在模制 材料中，所述引线框的所述垫和所述夹片经暴露以提供对所述模块的双冷却。6. —种集成晶体管模块，其包括引线框，其具有第一和第二间隔垫、位于所述第一与第二垫之间的一个或一个以 上共同源极-漏极引线，以及位于所述第二垫的外侧上的一个或一个以上漏极引线；第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二垫，其中所述 第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；第一夹片，其附接到所述第一晶体管的漏极且电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；第二夹片，其附接到所述第二晶体管的漏极且电连接到位于所述第二垫的所述外 侧上的所述一个或一个以上漏极引线；以及模制材料，其囊封所述引线框、所述晶体管和所述夹片以形成所述模块。7. 根据权利要求6所述的模块，其中使所述引线框的所述垫和所述夹片暴露且无所述 模制材料以提供对所述模块的双冷却。8. 根据权利要求6所述的模块，其中所述第一和第二晶体管是金属氧化物半导体场效 应晶体管(MOSFET)。9. 根据权利要求6所述的模块，其中所述第一和第二晶体管分别是作为降压式转换器 的组件的高侧和低侧功率晶体管。10. 根据权利要求6所述的模块，其中所述一个或一个以...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔纳森·A·诺奎尔，鲁宾·P·马德里，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：US
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