【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用硅膜作为电阻的半导体器件。
技术介绍
迄今，作为在半导体器件内形成的电阻的材料，采用了例如多晶硅膜等硅膜。图38和图39是示出具有用多晶硅膜形成的电阻的现有的半导体器件的俯视图和剖面图。在该半导体器件中，电阻30以多晶硅膜作为材料在半导体衬底1内的元件隔离区2上形成。接触栓5a、5b与电阻30表面的两端连接。然后，各接触栓5a、5b分别与第1层间绝缘膜4a上的布线6a、6b连接。在布线6a、6b上形成了第2层间绝缘膜4b。另外，半导体衬底1例如是硅衬底，元件隔离区2例如由氧化硅膜形成。在半导体衬底1的表面形成以高浓度注入了杂质离子的有源区1a、1b。另外，接触栓5a、5b例如是钨栓，布线6a、6b例如是铝布线。第1和第2层间绝缘膜4a、4b例如由氧化硅膜形成。图39中的放大图MV1是将电阻30内的区域AR进行了放大的图。如放大图MV1所示，在多晶硅膜中呈现出聚集了多个作为局部单晶区域的晶粒GR的状态。在各晶粒GR之间的晶粒间界BS上存在着硅原子的悬挂键(dangling bond)。在半导体器件的制造过程中，往往将半导体晶片暴露在氢气氛中，这时...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.(图1、2，实施例1，用无定形Si作为电阻，在接触上设置硅化物)一种半导体器件，其特征在于包括以硅膜作为材料的电阻<30、31>，上述电阻的至少表面部分是无定形硅<31、33>，在上述表面部分中的接触栓的连接部形成了硅化物<32a、32b>。2.(图16，实施例3，用SiGe包围Si电阻的表面的一部分)一种半导体器件，其特征在于，包括以硅膜作为材料的电阻<30>；以及与上述电阻相接而设置的硅锗膜<44>。3.(图17～19、26～28、29，实施例4～6，在Si电阻表面的一部分上设置虚设插头)一种半导体器件，其特征在于，包括以硅膜作为材料的电阻<30>；覆盖上述电阻的层间绝缘膜<4a、4b>；以及用与上述层间绝缘膜不同的材料、并且是具有防止氢原子向上述电阻侵入的作用的材料形成的，与上述电阻绝缘、并覆盖上述电阻的上方部分中的至少一部分的虚设接触栓<5e>。4.(图17～19、26～28、29，实施例4～6，在虚设插头上还设置虚设布线)如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于还具有用与上述层间绝缘膜不同的材料、并且是具有防止氢原子向上述电阻侵入的作用的材料在上述虚设接触栓上形成的虚设布线<6e>。5.(图17～19、26～28、29，实施例4～6，虚设接触栓、虚设布线的材料是金属)如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于上述虚设接触栓和/或上述虚设布线的材料是金属。6.(图26～28，实施例5，虚设插头呈“口”字状)如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于上述层间绝缘膜的一部分被埋入上述虚设接触栓内。7.(图30～36，实施例7～9，贯穿SOI的BOX的插头)一种半导体器件，其特征在于，包括具有支撑基板<11>、掩埋绝缘膜<12>和硅层<13>的叠层结构的SOI(在绝缘体上的硅)衬底；在上述SOI衬底上形成的、以...
【专利技术属性】
技术研发人员：平野有一，松本拓治，一法师隆志，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：
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