【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用偶极子照明技术的光刻工序，尤其涉及掩模布局的产生工序，该偶极子照明技术用于减少由透镜光斑引起的图像对比度的损耗，这在由于多次曝光而使用偶极子照明的情况下具有显著的效果。另外，本专利技术还涉及一种使用光刻设备的装置制造方法，其中光刻设备包含一个提供投影辐射光束的辐射系统；一个支持掩模的掩模台，用于构图投影光束；一个用于支持基片的基片台；以及一个用于投影所构图的投影光束到基片目标部分上的投影系统。
技术介绍
例如，在集成电路(IC)的制造过程中可以使用光刻投影设备(工具)。在这种情况下，掩模包含一个对应于IC各层的电路图形，该图形能够被成像在基片(例如，并不仅限于硅晶片)的目标部分上(例如，包括一个或多个模片)，该基片已经被涂上一层辐射敏感型材料(抗蚀剂)。通常，一个硅晶片将包含相邻目标部分的整个阵列，目标部分经过投影系统一次一个的被连续辐射。在一种类型的光刻投影设备中，通过将整个标度线图形一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分。这种设备通常称作晶片步进器。在一个替换的设备中—通常称为步进—扫描设备—通过在一个指定基准方向(扫描方向)的投影光束下...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种使用偶极子照射来产生掩模的方法，该掩模用于印制在基片上具有垂直定向特征和水平定向特征的图形，所述方法包括步骤识别包含在所述图形中的背景区域；在所述背景区域中产生一个包含不可分辨的水平定向特征的垂直元件掩模；和在所述背景区域中产生一个包含不可分辨的垂直定向特征的水平元件掩模。2.根据权利要求1的产生掩模的方法，其特征在于，产生所述垂直元件掩模的步骤包括识别包含在所述图形中的水平定向特征，并为所述水平定向特征提供防护层；以及将光学邻近校正的辅助特征应用到包含在所述图形中的垂直定向特征上，使用所述垂直元件掩模将所述垂直定向特征成像在所述基片上。3.根据权利要求1的产生掩模的方法，其特征在于，产生所述水平元件掩模的步骤包括识别包含在所述图形中的垂直定向特征，并为所述垂直定向特征提供防护层；以及将光学邻近校正的辅助特征应用到包含在所述图形中的水平定向特征上，使用所述水平元件掩模将所述水平定向特征成像在所述基片上。4.根据权利要求1的产生掩模的方法，其特征在于，所述背景区域不包含任何被成像在所述基片上的特征。5.根据权利要求1的产生掩模的方法，其特征在于，所述不可分辨的水平定向特征包括多个相互平行延伸的线，每个线具有相同的宽度。6.根据权利要求5的产生掩模的方法，其特征在于，所述不可分辨的水平定向特征具有相同的节距。7.根据权利要求1的产生掩模的方法，其特征在于，所述不可分辨的垂直定向特征包括多个相互平行延伸的线，每个线具有相同的宽度。8.根据权利要求7的产生掩模的方法，其特征在于，所述不可分辨的垂直定向特征具有相同的节距。9.一种使用偶极子照射来印制在基片上具有垂直定向特征和水平定向特征的图形的方法，所述方法包括步骤识别包含在所述图形中的背景区域；在所述背景区域中产生一个包含不可分辨的水平定向特征的垂直元件掩模；在所述背景区域中产生一个包含不可分辨的垂直定向特征的水平元件掩模；使用X磁极照射来照射所述垂直元件掩模；和使用Y磁极照射来照射所述水平元件掩模。10.根据权利要求9的印制图形的方法，其特征在于，产生所述垂直元件掩模的步骤包括识别包含在所述图形中的水平定向特征，并为所述水平定向特征提供防护层；以及将光学邻近校正的辅助特征应用到包含在所述图形中的垂直定向特征上。11.根据权利要求9的印制图形的方法，其特征在于，产生所述水平元件掩模的步骤包括识别包含在所述图形中的垂直定向特征，并为所述垂直定向特征提供防护层；以及将光学邻近校正的辅助特征应用到包含在所述图形中的水平定向特征上。12.根据权利要求9的印制图形的方法，其特征在于，所述背景区域不包含任何被成像在所述基片上的特征。13.根据权利要求10的印制图形的方法，其特征在于，所述防护层在所述垂直元件掩模被照射时防止所述水平定向元件被照射。14.根据权利要求11的印制图形的方法，其特征在于，所述防护层在所述水平元件掩模被照射时防止所述垂直定向元件被照射。15.根据权利要求9的印制图形的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·F·S·苏，N·科尔科兰，J·F·陈，
申请(专利权)人：ASML蒙片工具有限公司，
类型：发明
国别省市：
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