曝光装置以及曝光系统制造方法及图纸

一种经由液体将图案像转印到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备：　　　　将图案像投影到基片的投影光学系统；　　　　与对已被曝光的基片进行处理的处理装置的连接部；以及　　　　在通过上述连接部将基片向处理装置搬出之前，除去附着于基片的液体的液体除去装置。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在投影光学系统与基片之间的至少一部分充满液体、用由投影光学系统所投影的图案像对基片进行曝光的曝光装置、该曝光装置中所用的液体除去装置以及使用该曝光装置的器件制造方法。
技术介绍
半导体器件或液晶显示器件是通过将形成在掩模上的图案转印到感光性的基片上的、所谓的光刻法的方法来进行制造。在该光刻法工序中所使用的曝光装置，具有支承掩模的掩模台和支承基片的基片台，一边逐次移动掩模台及基片台一边经由投影光学系统将掩模的图案转印到基片。近年来，为了适应器件图案的更进一步的高集成化人们希望投影光学系统进一步的高析像度化。使用的曝光波长越短、或者投影光学系统的数值口径越大则投影光学系统的析像度就越高。为此，曝光装置所使用的曝光波长逐年短波长化，投影光学系统的数值口径也不断增大。而且，虽然当前主流的曝光波长是KrF激态复合物激光器的248nm，但更短波长的ArF激态复合物激光器的193nm也正不断被实用化。另外，在进行曝光之际，与析像度同样聚焦深度(DOF)也很重要。析像度R及聚焦深度δ分别用以下公式来表示。R＝k1·λ/NA …(1)δ＝±k2·λ/NA2…(2)这里，λ是曝光波长，NA是投影光学系统的数值口径，k1、k2是加工系数(process coefficient)。根据(1)式、(2)式可知为了提高析像度R，若使曝光波长λ变短、使数值口径NA变大则聚焦深度δ变得狭窄。若聚焦深度δ过于狭窄使基片表面相对于投影光学系统的像面吻合将变得困难，曝光动作时的容限(margin)恐怕就会不足。因而，作为实质上缩短曝光波长且扩展聚焦深度的方法，例如提出了国际公布第99/49504号公报所公开的浸液法。该浸液法是在投影光学系统的下面与基片表面之间用水或有机溶媒等液体充满，利用液体中的曝光光的波长为空气中的1/n(n是液体的折射率通常为1.2～1.6左右)这一点使析像度改善，同时将聚焦深度扩大约n倍这样的方法。可是，在使用上述浸液法对基片进行曝光处理的情况下，有在曝光处理后会在基片的表面残存液体的情况。若在使该残存的液体附着于基片的状态下进行搬送，则在搬送中液体从基片落下，因所落下的液体而使搬送路径周边的各装置或部件生锈、无法维持配置有曝光装置的环境的清洁度等不良情形就会发生。或者，还有因所落下的液体而造成曝光装置周边的环境变化(湿度变化)的情况。若发生湿度变化则例如在工作台位置测量中所用的光干涉计的光路上的空气中将产生起伏，工作台位置测量就不会精度良好地进行，而产生未得到所希望的图案转印精度之类的问题。另外，若在曝光处理后在使液体附着于基片的状态下执行例如显影处理，则会产生不能制造出具有所希望的性能的器件的顾虑。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于这样的情形而完成的，其目的是提供一种在投影光学系统与基片之间充满液体进行曝光处理之际，能够抑制起因于在曝光后附着于基片的液体的器件的劣化的装置、组装了该装置的曝光装置、以及使用该曝光装置的器件制造方法。为了解决上述课题，本专利技术采用实施方式所示的与图1～图15相对应起来的以下的构成。其中，附加在各要素上的带括号的符号只不过是该要素的示例，并没有对各要素进行限定的意图。根据本专利技术的第1技术方案，提供一种曝光装置(EX)，它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系统(PL)；与处理已被曝光的基片(P)的处理装置(C/D)的连接部(IF)；以及在通过连接部(IF)将基片(P)搬出至处理装置(C/D)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100、22、33、34)。根据本专利技术，由于设置在搬送到对实施了曝光处理的基片进行规定处理的处理装置之前除去附着于基片的液体的液体除去装置，所以能够在除去了液体的状态下对基片进行规定的处理。从而，能够制造具有所希望的性能的器件。根据本专利技术的第2技术方案，提供一种曝光装置(SYS、EX)，它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系统(PL)；除去附着于已被曝光的基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100、22、33、34)；将已被曝光的基片(P)搬送到液体除去装置(100、22、33、34)的第1搬送部件(H2、43)；以及将已由液体除去装置(100、22、33、34)除去液体(50)的基片(P)从液体除去装置(100、22、33、34)进行搬送的第2搬迭部件(H2、43)。根据本专利技术，由于设置在基片的曝光后除去附着于基片的曝光用的液体的液体除去装置，所以能够抑制在基片搬送中液体从基片落下而造成环境变化等不良情形的发生。在该情况下，就能够由第1搬送部件将利用浸液法进行曝光处理并附着有液体的基片搬送到液体除去装置。然后，通过将由液体除去装置除去了液体的基片用与第1搬送部件不同的第2搬送部件进行搬送，就能够在基片上不附着液体的状态下将此基片搬送到规定的位置。此外，在本专利技术中，最好是上述第1搬送部件其表面的至少一部分为防液性(排斥液体性liquid-repellent)。根据本专利技术的第3技术方案，提供一种曝光装置(SYS、EX)，它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系统(PL)；对已被曝光的基片(P)进行搬送的搬送系统(H)；以及设置于基片(P)的搬送路径、除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(100、22、33、34、)，其中，液体除去装置(100、22、33、34、)具有覆盖基片(P)周围的至少一部分以防止在进行液体(50)除去时液体(50)飞溅的盖壳(25、30、40)。根据本专利技术，由于在搬送基片的搬送系统的搬送路径的途中设置除去附着于基片的曝光用的液体的液体除去装置，所以能够同时进行利用曝光装置(曝光装置本体)的曝光处理和利用设置于搬送路径的途中的液体除去装置的液体除去处理。从而，能够不会使生产能力降低地执行各处理。在此情况下，由于液体除去装置具有防止液体飞溅的盖壳机构，所以能够防止液体飞溅在搬送路径周围。从而，就能够防止湿度变化等环境变化或装置生锈等的发生。此外，在本专利技术中，最好是上述盖壳机构包含腔室。在上述第1～3技术方案的曝光装置中，最好是上述液体除去装置具有将上述曝光后的基片洗净的洗净装置，在利用上述洗净装置将上述基片洗净后，除去附着于上述基片的洗净液。根据本专利技术的第4技术方案，提供一种曝光装置(SYS、EX)它是经由液体(50)将图案像转印到基片(P)上并对基片(P)进行曝光的曝光装置(EX)，具备将图案像投影到基片(P)的投影光学系统(PL)；保持基片(P)的基片台(PST)；以及在从基片台(PST)搬出已被曝光的基片(P)之前，除去附着于基片(P)的液体(50)的液体除去装置(22)。根据本专利技术，通过在将基片从进行曝光处理的基片台搬出以前除去附着于基片的液体，就能够抑制在基片的搬送中液体从基片落下之类的不良情形的发生。在上述第1～4技术方案的曝光装置中，也可以在上述曝光后，附着有上述液体的基片相对于水平面以规定角度进行搬送。另外，上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种经由液体将图案像转印到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备将图案像投影到基片的投影光学系统；与对已被曝光的基片进行处理的处理装置的连接部；以及在通过上述连接部将基片向处理装置搬出之前，除去附着于基片的液体的液体除去装置。2.一种经由液体将图案像转印到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备将图案像投影到基片的投影光学系统；除去附着于已被曝光的基片的液体的液体除去装置；将已被曝光的基片搬送到液体除去装置的第1搬送部件；以及将已由液体除去装置除去液体的基片从液体除去装置搬送的第2搬送部件。3.按照权利要求2所述的曝光装置，其特征在于上述第1搬送部件其表面的至少一部分为防液性。4.一种经由液体将图案像转印到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备将图案像投影到基片的投影光学系统；对已被曝光的基片进行搬送的搬送系统；以及被设置于基片的搬送路径、除去附着于基片的液体的液体除去装置，其中，液体除去装置具有覆盖基片周围的至少一部分以防止在进行液体除去时液体飞溅的盖壳。5.按照权利要求4所述的曝光装置，其特征在于上述盖壳机构包含腔室。6.按照权利要求1、2及4中任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置具有将上述曝光后的基片洗净的洗净装置，在利用上述洗净装置将上述基片洗净后，除去附着于上述基片的洗净液。7.一种经由液体将图案像转印到基片上并对基片进行曝光的曝光装置，具备将图案像投影到基片的投影光学系统；保持基片的基片台；以及在从基片台搬出已被曝光的基片之前，除去附着于基片的液体的液体除去装置。8.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于在上述曝光后，附着有上述液体的基片相对于水平面以规定角度进行搬送。9.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置吸引上述基片上的液体。10.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置使上述基片上的液体进行干燥。11.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置吹掉上述基片上的液体。12.按照权利要求11所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置包含使附着有上述液体的基片进行旋转的旋转机构。13.按照权利要求1、2、4以及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置使附着有上述液体的基片倾斜。14.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置除去附着于上述基片两面的液体。15.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于上述液体除去装置除去附着于上述基片背面的液体。16.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于，还具备供给上述液体的液体供给装置和回收由上述液体供给装置所供给的液体的液体回收装置，其中，上述液体除去装置，除去在上述基片的曝光完了后，未由上述液体回收装置回收、残留于上述基片表面的液体。17.按照权利要求16所述的曝光装置，其特征在于，具备保持基片的第1保持部件和保持基片的第2保持部件，其中，上述液体除去装置在一个保持部件所保持的基片的曝光中，除去附着于另一保持部件所保持的基片的液体。18.按照权利要求1、2、4及7中任意一项所述的曝光装置，其特征在于，具备保持基片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马込伸贵，高岩宏明，荒井大，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：