【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于以液体充满了投影光学系统和衬底之间的至少一部分的状态，用由投影光学系统而投影了的图案像曝光衬底的曝光装置和用该曝光装置的器件制造方法。
技术介绍
半导体器件和液晶显示器件是通过把掩模上所形成的图案复制到感光性衬底上边的所谓光刻方法而制造的。在这一光刻工序中使用的曝光装置有支承掩模的掩模台和支承衬底的衬底台，通过投影光学系统一边顺序地移动掩模台和衬底台一边把掩模图案复制到衬底上的装置。近年来，为了与器件图案的更进一步高集成化相对应，希望更加提高投影光学系统的图像分辨率。投影光学系统的图像分辨率是使用的曝光波长越短，而且投影光学系统的数值孔径提高越大。因此，在曝光装置中射使用的曝光波长逐年短波化，投影光学系统的数值孔径也在增大。然而，现在主流曝光波长是KrF准分子激光器的248nm，然而也正在实际应用更短波长的ArF准分子激光器的193nm。而且，在进行曝光的时候，与图像分辨率同样聚焦深度(DOF)也很重要。分别以下式表示图像分辨率R和聚焦深度δ。R＝k1·λ/NA …(1)δ＝±k2·λ/NA2…(2)在这里，λ为曝光波长，NA为投影光学系统...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种曝光装置，用于以规定图案像使衬底曝光，其特征在于包括使上述规定图案像投影到衬底上的投影光学系统；向上述投影光学系统和衬底之间供给液体的液体供给装置；以及除去包含在供给上述投影光学系统和衬底之间的液体中气体成分的气体除去装置。2.按照权利要求1所述的曝光装置，其特征在于上述气体除去装置从上述液体中除去气体成分使得上述液体中的空气浓度是0.016cm3/cm3以下。3.按照权利要求1所述的曝光装置，其特征在于上述气体除去装置是加热装置、减压装置和脱气膜中的至少一种。4.按照权利要求1所述的曝光装置，其特征在于上述液体供给装置包括向投影光学系统和衬底之间供给液体的多个供给管嘴和回收供给投影光学系统和衬底之间的液体的多个回收管嘴。5.按照权利要求4所述的曝光装置，其特征在于曝光装置具备放置衬底移动的载物台，該载物台在对由投影光学系统投影的像移动衬底的期间进行曝光，上述供给管嘴向衬底的移动方向喷射液体。6.按照权利要求4所述的曝光装置，其特征在于上述供给管嘴和回收管嘴交替排列。7.按照权利要求6所述的曝光装置，其特征在于上述交替排列的供给管嘴和回收管嘴的组合相对夹着投影光学系统的投影区。8.按照权利要求1～4任一项所述的曝光装置，其特征在于还具备用于调整从上述液体供给装置供给的液体温度的温度调整装置。9.按照权利要求8所述的曝光装置，其特征在于上述温度调整装置调整液体温度使之成为曝光装置内的温度。10.按照权利要求9所述的曝光装置，其特征在于通过向投影光学系统和衬底之间供给上述温度调整后的液体，控制衬底的温度。11.一种曝光装置，用于由投影光学系统使图案像投影到衬底上曝光上述衬底，其特征在于包括用于以液体充满上述投影光学系统和衬底之间的至少一部分的液体供给装置；和抑制上述液体中发生气泡的气泡抑制装置。12.按照权利要求11所述的曝光装置，其特征在于上述气泡抑制装置包括除去液体中气体的脱气装置...
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