金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

一种金属氧化物半导体场效应晶体管，在实际动作区域周围设置的护圈上未设置电极的部分，在护圈近旁引起电荷集中，而图案不均匀。本发明专利技术的金属氧化物半导体场效应晶体管包括：实际动作区域５，其排列多个ＭＯＳ晶体管的单元６；源极电极７，其被设置在该实际动作区域上，并和所述ＭＯＳ晶体管各单元的源极区域１８连接；源极片电极，其和该源极电极连接；栅结合片电极１，其和所述ＭＯＳ晶体管各单元的栅极电极１６连接；护圈２２，其被设置在源极区域１８周围，其中，扩张所述源极电极，覆盖所述护圈上的未覆盖栅极电极的部分。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及MOSFET，特别是涉及防止周边部分图案不均匀、耐压不稳定的现象的MOSFET。
技术介绍
包括在一般家庭，电子设备显著地普及，开关电源由于小型且低损耗，因此，被利用在几乎所有的电子设备中。由此，最近电子设备的多样化对电源的要求越来越复杂，特别是开关电源的单片化被认为是电源的最终课题。为达成开关电源的小型化的基本方法包括开关频率的高频化、损耗降低、产品数量降低和功能化。要通过这些方法实际地进行产品化，必须通过严格降低成本的关口，为此条件是应为适合批量化生产的方式。图5显示现有MOSFET的上面图。功率MOSFET包括栅结合片电极1、栅连接电极4、实际动作区域5、MOS晶体管的单元6、源极电极7。栅结合片电极1和栅极电极连接，由接合引线进行电极的取出。栅极连接电极4和各单元6的栅极电极连接，且被配置在实际动作区域5的整个周围。在实际动作区域5中排列有构成功率MOSFET的多个MOS晶体管的单元6。源极电极7被设置在实际动作区域5上，且和各单元6的源极区域连接。在实际动作区域5周围设置后述的护圈，并抑制耗尽层向芯片终端的扩展。源极片电极9被连接在源极电极7上，为获得电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：实际动作区域，其排列多个ＭＯＳ晶体管单元；源极电极，其被设置在所述实际动作区域，并和所述ＭＯＳ晶体管各单元的源极区域连接；源极片电极，其和所述源极电极连接；护圈，其被设置在实际动作区域周围；栅连接电极，其局部覆盖所述护圈之上而设置，连接ＭＯＳ晶体管各单元的栅极电极和栅结合片电极，其中，扩展所述源极电极，由所述源极电极覆盖所述护圈上未覆盖栅极电极的部分。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-31 094973/031.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括实际动作区域，其排列多个MOS晶体管单元；源极电极，其被设置在所述实际动作区域，并和所述MOS晶体管各单元的源极区域连接；源极片电极，其和所述源极电极连接；护圈，其被设置在实际动作区域周围；栅连接电极，其局部覆盖所述护...

【专利技术属性】
技术研发人员：圆井干将，吉村充弘，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]