由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管制造技术

一种场效应晶体管，它包括排列在衬底上的沟道、连接到沟道起始端的源电极、连接到沟道终止端的漏电极、排列在沟道顶部或侧面上的绝缘体、以及经由绝缘体而排列在沟道顶部或侧面上的栅电极，其中，沟道由多个碳纳米管组成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到用来控制或放大频率非常高的数字电信号或模拟电信号的场效应晶体管。
技术介绍
由于近年向高速信息处理和通信的发展趋势，故对用来控制或放大100GHz或以上的非常高频率的数字电信号或模拟电信号的电子器件有了日益增长的需求。用于上述目的的一种有代表性的电子器件，是由诸如GaAs之类的III-V族化合物制成的场效应晶体管。附图中图6示出了典型场效应晶体管的剖面图，图7示出了其平面图。如图6和7所示，此场效应晶体管具有衬底1、沟道2、源电极3、漏电极4、绝缘体5、以及栅电极6。沟道通常由半导体制成，且包含对导电有贡献的带电粒子。这些带电粒子是电子或空穴。场效应晶体管是用来将输入到栅电极的电压信号转换成从源电极或漏电极输出的电流信号的一种器件。当电压被施加在源电极与漏电极之间时，存在于沟道中的带电粒子就沿源电极与漏电极之间的电场的方向运动，并以电流信号的形式从源电极或漏电极被输出。此电流信号正比于带电粒子的密度和速度。当电压被施加到与沟道上表面或侧表面相对且其间插入有绝缘体的栅电极时，沟道中带电粒子的密度发生变化。因此，借助于改变施加到栅电极的电压，能够改变电流信号。场效应晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，它具有带电粒子在其中行进的沟道、分别连接到沟道部分的源区和漏区、以及电磁耦合到沟道的栅电极，其特征在于，所述沟道由碳纳米管制成。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-5 204182/20011.一种场效应晶体管，它具有带电粒子在其中行进的沟道、分别连接到沟道部分的源区和漏区、以及电磁耦合到沟道的栅电极，其特征在于，所述沟道由碳纳米管制成。2.根据权利要求1的场效应晶体管，其特征在于，所述碳纳米管具有半导电的电学特性。3.根据权利要求1或2的场效应晶体管，其特征在于，所述碳纳米管包括单层碳纳米管或多层碳纳米管，所述碳纳米管是螺旋形的或非螺旋形的。4.根据权利要求1-3中任何一个的场效应晶体管，其特征在于，带电粒子供体被加入到所述碳纳米管。5.根据权利要求4的场效应晶体管，其特征在于，所述带电粒子供体包含碱金属。6.根据权利要求4的场效应晶体管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：二瓶史行，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]