半导体器件制造技术

在Ｐ型半导体衬底（１１０）中形成的扩展漏区（１０２）中，形成Ｐ型埋入区（１０４ａ和１０４ｂ）。在所述Ｐ型埋入区（１０４ａ与１０４ｂ）之间形成Ｎ型埋入区（１１３）。沿着Ｇ－Ｇ’平面在Ｎ型埋入区（１１３）和Ｐ型埋入区（１０４ａ与１０４ｂ）之间的边界附近的Ｎ型埋入区（１１３）的Ｎ型杂质浓度低，且从所述边界至Ｎ型埋入区（１１３）的内侧所述浓度升高。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及一种半导体器件。更具体地，本专利技术涉及一种具有低导通电阻和高耐压的横向半导体器件(横向晶体管)。
技术介绍
的说明传统上，已提出了具有进一步降低的导通电阻并同时维持高耐压的各种MOS晶体管(横向半导体器件)。例如，日本专利特开公开No.2002-43562公开了常规MOS晶体管的一个实例。图8是常规MOS晶体管800(以下称半导体器件800)的一个例子的截面图。半导体器件800包括P型半导体衬底810、源电极807、漏电极805、栅绝缘膜814、栅极809和绝缘膜812。在P型半导体衬底810中，形成N型扩展漏区(extended region)802、N型高浓度漏区803、P型埋入区(buried region)804a和804b、抗击穿区808、N型源区801和P型衬底接触区(substrate contact region)806。P型半导体衬底810中，N型源区801和P型衬底接触区806彼此相邻形成。在N型源区801与P型衬底接触区806之间的边界附近，N型源区801和P型衬底接触区806的上表面与源极807的下表面相接触。抗击穿区808具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向半导体器件，包括：第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的第二导电型源区；在所述半导体衬底中形成的第二导电型扩展漏区；在所述源区和所述漏区之间的所述半导体衬底上形成的栅极；在所述扩展漏 区中形成的漏区，具有比所述扩展漏区更高的第二导电型杂质浓度；在所述扩展漏区中在自扩展漏区的表面不同的浓度的位置形成的至少两个第一导电型埋入区；和在所述第一导电型埋入区之间形成的第二导电型埋入区，其中第二导电型埋入区内 的第二导电型杂质浓度比位于第一导电型埋入区与第二导电型埋...

【技术特征摘要】
JP 2003-12-12 415263/20031.一种横向半导体器件，包括第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的第二导电型源区；在所述半导体衬底中形成的第二导电型扩展漏区；在所述源区和所述漏区之间的所述半导体衬底上形成的栅极；在所述扩展漏区中形成的漏区，具有比所述扩展漏区更高的第二导电型杂质浓度；在所述扩展漏区中在自扩展漏区的表面不同的深度的位置形成的至少两个第一导电型埋入区；和在所述第一导电型埋入区之间形成的第二导电型埋入区，其中第二导电型埋入区内的第二导电型杂质浓...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹花康宏，宇野利彦，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]