垂直金属氧化物半导体晶体管制造技术

提供一种获得高可靠性的垂直ＭＯＳ晶体管和一种制造该垂直ＭＯＳ晶体管的方法。在同一衬底上形成具有不同宽度和深度的两种类型的沟槽，而不用增加制造工艺步骤。将具有窄宽度的浅沟槽的沟槽主要用于驱动晶体管并将具有宽深沟槽的沟槽，用于防止长期可靠性的退化的措施。造成源和漏之间的损伤以至在宽、深沟槽处扩展，但不会导致长期特性退化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有沟槽结构的垂直MOS晶体管。
技术介绍
图2示出了具有传统沟槽结构的垂直MOS晶体管的示意性剖面图。制备半导体衬底，其中在第一导电类型的高浓度衬底1上外延生长低浓度的第一导电类型层2，该层2变成漏区。由半导体衬底的表面通过杂质注入并在等于或大于1000℃的温度下的高温热处理，形成称作体区的第二导电类型的扩散区3。此外，由该表面形成变成源区的第一导电类型高浓度的杂质区7和第二导电类型、高浓度的体接触区8，体接触区8用于通过欧姆接触固定体区的电势。这里，第一导电类型的源区和第二导电类型的体接触区通常视为具有存储(save)电势。因此，可以采用具有与图2相似的表面接触的布局。通过在源区上并在体接触区上形成的一个接触孔，第一导电类型高浓度的杂质区7和第二导电类型高浓度的体接触区8电连接。然后，蚀刻单晶硅，完全穿通第一导电源区并形成硅沟槽9。栅绝缘膜5和变成栅电极并包含高浓度杂质的多晶硅6嵌入到硅沟槽之中。而且，半导体衬底后表面的第一导电类型高浓度区连接到的漏金属电极(图中未示出)。形成与上述相似的结构以便作为垂直MOS晶体管的功能，该垂直MOS晶体管通过穿过沟槽侧壁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直ＭＯＳ晶体管，包括：第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底成为高浓度的漏区；在该半导体衬底上形成的成为低浓度的漏区的第一导电类型的外延生长层；第二导电类型的体区，该体区形成在该外延生长层上；第二导电类 型的高浓度体接触区，该体接触区形成在该第二导电类型的体区的一部分的前表面上；第一导电类型的高浓度源区，该源区形成在该高浓度的体接触区外侧的该第二导电类型的体区的该前表面的区域上；具有预定宽度的第一硅沟槽，完全穿过该第二导电类 型的体区和该第一导电类型的源区直至到达该第一导电类型的外延生长层的内部的...

【技术特征摘要】
JP 2003-6-24 180111/031.一种垂直MOS晶体管，包括第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底成为高浓度的漏区；在该半导体衬底上形成的成为低浓度的漏区的第一导电类型的外延生长层；第二导电类型的体区，该体区形成在该外延生长层上；第二导电类型的高浓度体接触区，该体接触区形成在该第二导电类型的体区的一部分的前表面上；第一导电类型的高浓度源区，该源区形成在该高浓度的体接触区外侧的该第二导电类型的体区的该前表面的区域上；具有预定宽度的第一硅沟槽，完全穿过该第二导电类型的体区和该第一导电类型的源区直至到达该第一导电类型的外延生长层的内部的深度；第二硅沟槽，具有不同于第一硅沟槽的宽度的宽度；沿硅沟槽的壁表面和底表面形成的栅绝缘膜；以及高浓度的多晶硅栅极，该多晶硅栅极嵌入沟槽之中由栅绝缘膜包围。2.根据权利要求1的垂直MOS晶体管，其中第二硅沟槽的宽度大于第一硅沟槽的宽度。3.根据权利要求1的垂直MOS晶体管，其中第二硅沟槽提供有与第一硅沟槽的宽度和深度相比不同的宽度和不同的深度。4.根据权利要求3的垂直MOS晶体管，其中第二硅沟槽的宽度和深度分别大于第一硅沟槽的宽度和深度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田博文，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]