薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，所形成的衬垫料不会影响到孔径比。按照本发明专利技术的一种薄膜晶体管阵列基板包括一个基板上的栅极线；栅极线上的栅极绝缘薄膜；栅极绝缘薄膜上的数据线，数据线与栅极线交叉限定一个象素区，栅极绝缘薄膜位于栅极线与数据线之间，栅极线和数据线至少有一个包括一个突起；栅极线和数据线交叉点上的薄膜晶体管；象素区上的象素电极，所述象素电极连接到薄膜晶体管；以及用喷墨系统分配在突起内的一个衬垫料。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到液晶显示(LCD)装置及其制造方法。本专利技术具体涉及到一种薄膜晶体管阵列基板，所形成的衬垫料不会影响孔径比。
技术介绍
液晶显示器(LCD)都是用电场控制液晶材料的光透射比来显示图像。液晶显示器的公共电极被形成在上基板上，象素电极被形成在下基板上，布置成彼此面对的两个电极，用公共电极和象素电极之间形成的电场驱动液晶。液晶显示器具有一个薄膜晶体管阵列基板(下基板)和一个滤色片阵列基板(上基板)，两个基板彼此面对并粘结到一起，用来在两个基板之间均匀维持一个盒间隙的衬垫料，以及处在由衬垫料所提供的空间内的液晶。薄膜晶体管阵列基板包括多条信号线，多个薄膜晶体管，以及用来对准上面所形成的液晶的定向膜。滤色片基板包括用来表现色彩的滤色片，防止漏光的黑色矩阵，以及用来对准上面所形成的液晶的定向膜。衬垫料被划分成按散布方法形成的球形衬垫料和按光刻技术形成的图形衬垫料。用一个散布器在基板上分散球形衬垫料来维持上下基板之间的盒间隙。然而却难以均匀散布球形衬垫料。另外，球形衬垫料会在上下基板之间滚动，引起波纹现象。图形衬垫料是采用光刻技术(photolithography)在基板上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板包括：一个基板上的栅极线；栅极线上的栅极绝缘薄膜；栅极绝缘薄膜上的数据线，所述数据线与栅极线交叉限定象素区，栅极绝缘薄膜位于栅极线与数据线之间，其中，栅极线和数据线中至少有一个包括一个突起；栅极线和数据线交叉点上的薄膜晶体管；象素区上的象素电极，所述象素电极连接到薄膜晶体管；以及用喷墨系统分配在突起内的衬垫料。

【技术特征摘要】
KR 2003-6-17 10-2003-00389901.一种薄膜晶体管阵列基板包括一个基板上的栅极线；栅极线上的栅极绝缘薄膜；栅极绝缘薄膜上的数据线，所述数据线与栅极线交叉限定象素区，栅极绝缘薄膜位于栅极线与数据线之间，其中，栅极线和数据线中至少有一个包括一个突起；栅极线和数据线交叉点上的薄膜晶体管；象素区上的象素电极，所述象素电极连接到薄膜晶体管；以及用喷墨系统分配在突起内的衬垫料。2.按照权利要求1的薄膜晶体管阵列基板，其特征是突起朝着象素区延伸，并且突起的宽度大于衬垫料的宽度。3.按照权利要求2的薄膜晶体管阵列基板，其特征是突起具有包括矩形的多边形和圆形的形状。4.按照权利要求3的薄膜晶体管阵列基板，其特征是突起的宽度范围是30μm到50μm。5.按照权利要求1的薄膜晶体管阵列基板，其特征是进一步包括存储电容，它具有用作存储电容电极的栅极线和象素电极，并在存储电容电极之间具有用作存储电容的介电材料的栅极绝缘薄膜和钝化薄膜。6.按照权利要求1的薄膜晶体管阵列基板，其特征是进一步包括存储电容，它具有用作存储电容电极的栅极线和存储电极，并在存储电容电极之间具有用作存储电容的介电材料的栅极绝缘薄膜，其中存储电极电连接到象素电极。7.按照权利要求1的薄膜晶体管阵列基板，其特征是衬垫料具有半圆形和半椭圆形形状。8.按照权利要求1的薄膜晶体管阵列基板，其特征是薄膜晶体管进一步包括连接到栅极线的栅极；连接到数据线的源极；连接到象素电极的漏极；以及构成薄膜晶体管的一沟道部分的半导体层。9.按照权利要求8的薄膜晶体管阵列基板，其特征是半导体层被形成在数据线，源极，漏极以及沿着它们的下数据焊盘电极的下面。10.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法包括在一个基板上形成栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：全宰弘，李润復，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]