光刻装置以及器件制造方法制造方法及图纸

一种光刻投射装置，包括以二维阵列方式产生多个源象的微透镜阵列，具有多个对源象起光阀作用的可寻址元件的可编程构图装置，和用于将源象阵列投射到基底上的投射子系统。由此获得更大的工作距离。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻投射装置，它包括-用于提供辐射投射光束的辐射系统；-可编程的构图装置，包括多个可寻址元件并且能够依照所需图案进行设置；-用于保持基底的基底台；和-用于将所需图案传送到基底靶部的投射系统。
技术介绍
光刻投射装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部(例如包括一个或者多个电路小片(die))上成像。一般的，单一的晶片包含一整个网络的相邻靶部，该相邻靶部由投射系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投射装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作分步扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投射系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻投射装置，包括：　　　　－用于提供辐射投射光束的一个辐射系统；　　　　－可编程构图装置，包括多个可寻址元件并且能够依照一个所需图案进行设置；　　　　－保持一个基底的一个基底台；和　　　　－将所需图案转移到基底的一个靶部的一个投射系统；其特征在于所述投射系统包括：　　　　微透镜阵列，它具有对应于所述构图装置的可寻址元件的多个微透镜并用于形成源象阵列；和　　　　用于将所述源象阵列的像投射到所述基底上的一个投射子系统。

【技术特征摘要】
EP 2003-5-22 03253213.71.一种光刻投射装置，包括-用于提供辐射投射光束的一个辐射系统；-可编程构图装置，包括多个可寻址元件并且能够依照一个所需图案进行设置；-保持一个基底的一个基底台；和-将所需图案转移到基底的一个靶部的一个投射系统；其特征在于所述投射系统包括微透镜阵列，它具有对应于所述构图装置的可寻址元件的多个微透镜并用于形成源象阵列；和用于将所述源象阵列的像投射到所述基底上的一个投射子系统。2.如权利要求1所述的装置，其中所述辐射系统将基本上准直的辐射光束发送到形成源象阵列的微透镜阵列，并且所述可编程构图装置是一个选择性透射的器件，它位于最接近微透镜阵列处，借此可编程构图装置的可寻址元件可以被设置，以阻挡相应的一个源象。3.如权利要求2所述的装置，其中所述可编程构图装置优选靠近所述源象的平面。4.如权利要求1所述的装置，其中所述投射系统还包括将所述可编程构...

【专利技术属性】
技术研发人员：KD范德马斯特，AJ布里克，CQ古，JCG霍纳格斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]