专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
精工电子有限公司
>
垂直金属氧化物半导体晶体管制造技术
>技术资料下载
下载垂直金属氧化物半导体晶体管的技术资料
文档序号:3205325
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
提供一种获得高可靠性的垂直MOS晶体管和一种制造该垂直MOS晶体管的方法。在同一衬底上形成具有不同宽度和深度的两种类型的沟槽,而不用增加制造工艺步骤。将具有窄宽度的浅沟槽的沟槽主要用于驱动晶体管并将具有宽深沟槽的沟槽,用于防止长期可靠性的退...
该专利属于精工电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过精工电子有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。