下载垂直金属氧化物半导体晶体管的技术资料

文档序号:3205325

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提供一种获得高可靠性的垂直MOS晶体管和一种制造该垂直MOS晶体管的方法。在同一衬底上形成具有不同宽度和深度的两种类型的沟槽,而不用增加制造工艺步骤。将具有窄宽度的浅沟槽的沟槽主要用于驱动晶体管并将具有宽深沟槽的沟槽,用于防止长期可靠性的退...
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