半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的课题是，在半导体封装的密封工序中，提供在金丝间不产生短路的半导体器件。在包括半导体芯片的角部、密封构件的角部及相邻的金丝的间隔比周围大的部位的部分中至少１个的部分中，进行１个电极３和与之邻接的另１电极４的电极配置，使得连接在１个电极３上、因树脂密封时的树脂的流动变位了的金丝１，和与金丝１邻接、连接在另１电极４上的金丝２之间的间隔实质上等于金丝的直径。金丝１、２也可以是由其他的金属构成的连接线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更详细地说，涉及半导体芯片、安装部、外部电极端子的一端及连接线被树脂密封了的。
技术介绍
近年来，对半导体封装的小型化、薄型化及高密度化的要求越来越高。由此，存在缩小设置在半导体芯片的表面上、通过金丝与内引线连接成环状的焊接区的尺寸，同时缩短焊接区之间的距离的趋势。进而，缩短金丝直径而加长环的长度。例如，以往一般使用的金丝直径是28μm左右，今后需要小于25μm的金丝直径。但是，半导体器件具有半导体芯片、安装半导体芯片的管芯焊接区、金丝及内引线等通过树脂密封的结构。具体地说，密封是在组装了半导体器件的各结构要素后，将其放入规定的模具的状态下，通过从设置在模具一角的注入口注入树脂来进行的。然而，在缩小金丝直径，而且通过缩小焊接区间隔使金丝间隔缩小了的半导体封装中，在上述密封工序中，当树脂流入模具中时，存在产生金丝流的问题。图6是现有的半导体器件的平面图。此外，在图中的半导体器件中，为了说明，仅仅示出了半导体芯片120及金丝121，而省略了其他部分。从注入口注入的树脂沿图中的箭头方向流动。这时，伴随着树脂的流动，在全部的金丝上产生金丝流，特别是，由于在树脂的角部和半导体芯片的角部，金丝流增大，存在邻接的金丝彼此之间相碰而发生短路的问题。这样的问题不限于图6所示的QFP(Quad Flat Package方型扁平封装)型封装，例如也在图7所示的SOP(Small Outline Package小外形封装)型的封装中引起。在图7中，从封装123的2个侧面引出外引线124。从外引线124延伸的内引线(没有图示)在封装123的内部连接在金丝(没有图示)上。从注入口125注入的树脂在图中的箭头方向流动，因此，在全部的金丝上产生金丝流。而且，与图6的例子同样地，在角部和金丝的间隔比周围大的部分，金丝流特别地增大，其结果是，金丝彼此之间相碰而产生短路。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而进行的。即，本专利技术的目的在于提供在半导体封装的密封工序中不产生金丝间短路的。本专利技术的其他的目的和优点，通过以下的记述将会明了。本专利技术的半导体器件是配备了具有多个电极的半导体芯片；安装该半导体芯片的安装部；一端与半导体芯片相向配置、另一端与外部连接的多个外部电极端子；连接电极与外部端子的一端的多条连接线；以及以树脂密封半导体芯片、安装部、外部电极端子的一端及连接线，呈矩形形状的密封构件的半导体器件，其特征在于在包括半导体芯片的角部、密封构件的角部及相邻的连接线的间隔比周围大的部位的部分的至少一个部分中，进行1个电极和与该电极邻接的另1电极的电极配置，以使连接在1个电极上、因树脂密封时的树脂流动引起了变位的连接线和与该变位后的连接线邻接、连接在另1电极上的连接线之间的间隔实质上等于连接线的直径。本专利技术的半导体器件的制造方法是以树脂密封具有多个电极的半导体芯片、安装该半导体芯片的安装部、一端与半导体芯片相向配置而另一端与外部连接的多个外部电极端子、以及连接半导体芯片的电极与外部电极端子的一端的多条金丝而呈矩形的半导体器件的制造方法，其特征在于抽出连接在将半导体芯片的对角线夹持并使之位于中央的6个电极上的6条金丝，和连接在将通过树脂密封形成的密封构件的对角线夹持并使之位于中央的6个外部电极端子上的6条金丝，从式(4)求出这些金丝所连接的电极与对这些电极的每一个在树脂密封时在金丝变位的方向上邻接的电极之间的距离，根据所得到的值配置各电极。d′＝d+(L/100)(x1-x2)......(4)(其中，d′表示电极间的距离，d表示金丝的直径，L表示金丝的长度，x1表示金丝1的金丝流率，x2表示邻接于金丝1的金丝2的金丝流率。)另外，本专利技术的半导体器件的制造方法是以树脂密封具有多个电极的半导体芯片、安装该半导体芯片的安装部、一端与半导体芯片相向配置而另一端与外部连接的多个外部电极端子、以及连接半导体芯片的电极与外部电极端子的一端的多条金丝而呈矩形的半导体器件的制造方法，其特征在于为了增大邻接的电极间的距离，在金丝流增大的部分，抽出由这些电极和将这些电极夹持在中央而位于两侧的电极构成的共计6个电极，对于所抽出的各电极，从式(5)求出在树脂密封时在金丝变位方向上邻接的电极之间的距离，根据所得到的值配置各电极。d′＝d+(L/100)(x1-x2)......(5)(其中，d′表示电极间的距离，d表示金丝的直径，L表示金丝的长度，x1表示金丝1的金丝流率，x2表示邻接于金丝1的金丝2的金丝流率。)进而，本专利技术的半导体器件的制造方法是以树脂密封具有多个电极的半导体芯片、安装该半导体芯片的安装部、一端与半导体芯片相向配置而另一端与外部连接的多个外部电极端子、连接半导体芯片的电极与外部电极端子的一端的多条金丝而呈矩形的半导体器件的制造方法，其特征在于为了增大邻接的外部电极端子间的距离，在金丝流增大的部分中，抽出由这些外部电极端子和将这些外部电极端子夹持在中央而位于两侧的外部电极端子构成的共计6个外部电极端子，对于通过金丝连接在所抽出的外部电极端子上的6个电极的每一个，从式(6)求出在树脂密封时在金丝变位方向上邻接的电极之间的距离，根据所得到的值配置各电极。d′＝d+(L/100)(x1-x2)......(5)(其中，d′表示电极间的距离，d表示金丝的直径，L表示金丝的长度，x1表示金丝1的金丝流率，x2表示邻接于金丝1的金丝2的金丝流率。)附图说明图1A是本专利技术的半导体器件的局部放大俯视图。图1B是图1A中邻接的金丝的扩大平面图。图2是本专利技术实施例1的半导体器件的局部放大俯视图。图3是本专利技术实施例1的半导体器件的局部放大俯视图。图4是本专利技术实施例2的半导体器件的局部放大俯视图。图5是本专利技术实施例3的半导体器件的局部放大俯视图。图6是现有的半导体器件的平面图。图7是现有的半导体器件的平面图。具体实施例方式在本专利技术中，预先设定通过产生金丝流而成为短路的部分的电极间的间隔，使之大于不产生短路的部分的电极间的间隔。通过这样的设计，由于即使金丝流增大金丝彼此之间也不相碰，能够防止短路的发生。用图1A和图1B说明本专利技术的各电极的配置方法。图1A原理性地表示邻接的2条金丝。在图中，以箭头X的方向作为树脂(没有图示)流动的方向，用实线表示金丝流产生后的金丝1、2，同时，用虚线表示金丝流产生前的金丝1′、2′。另外，金丝1、2(或者金丝1′、2′)的一端连接在电极3、4上，另一端通过缝合点5、6连接在内引线7、8上。在图1A中假定金丝1′与金丝2′相互平行。另外，设这些金丝的长度为L，因金丝流引起的各金丝的变位量分别为v1、v2，金丝流率x1、x2如式(7)所示。此外，变位量依存于金丝的刚性，具体地说随金丝的组成及金丝的直径而变化。x1＝(v1/L)×100(％)x2＝(v2/L)×100(％) ......(7)在图1A中，当在金丝流率之间存在x1＝x2或者x1＜x2的关系的情况下，由于金丝1、2不相碰，不产生短路。另一方面，在x1＞x2的情况下，虽然能够产生短路，但只要金丝1、2不相碰就不会短路。换句话说，只要金丝1、2的间隔大于规定距离，就能够防止短路。这里，当考虑测量金丝间的距离时的设备的测量精度和测量时间时，金丝1、2的间隔最好是金丝直径，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，它配备了：具有多个电极的半导体芯片；安装上述半导体芯片的安装部；一端与上述半导体芯片相向配置、另一端与外部连接的多个外部电极端子；连接上述电极与上述外部电极端子的一端的多条连接线；以及 以树脂密封上述半导体芯片、上述安装部、上述外部电极端子的一端及上述连接线，呈矩形状的密封构件，该半导体器件特征在于：　在包括上述半导体芯片的角部、上述密封构件的角部及相邻的连接线的间隔比周围大的部位的部分的至少１个部分中，进行１个电 极和与该电极邻接的另１电极的电极配置，以使连接在上述１个电极上、因上述树脂密封时的树脂的流动引起了变位的连接线和与该变位后的连接线邻接、连接在上述另１电极上的连接线之间的间隔实质上等于连接线的直径。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-24 180062/031.一种半导体器件，它配备了具有多个电极的半导体芯片；安装上述半导体芯片的安装部；一端与上述半导体芯片相向配置、另一端与外部连接的多个外部电极端子；连接上述电极与上述外部电极端子的一端的多条连接线；以及以树脂密封上述半导体芯片、上述安装部、上述外部电极端子的一端及上述连接线，呈矩形状的密封构件，该半导体器件特征在于在包括上述半导体芯片的角部、上述密封构件的角部及相邻的连接线的间隔比周围大的部位的部分的至少1个部分中，进行1个电极和与该电极邻接的另1电极的电极配置，以使连接在上述1个电极上、因上述树脂密封时的树脂的流动引起了变位的连接线和与该变位后的连接线邻接、连接在上述另1电极上的连接线之间的间隔实质上等于连接线的直径。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述半导体芯片的角部中的上述1个电极是将上述半导体芯片的对角线夹持并使之位于中央的6个电极内的任何一个的1的电极。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述密封构件的角部中的上述1个电极是通过连接线连接在将上述密封构件的对角线夹持并使之位于中央的6个外部电极端子上的6个电极内的某一个电极。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于在包括上述相邻的连接线的间隔比周围大的部位的部分中的上述1个电极是连接在由上述相邻的连接线和将这些连接线夹持在中央而位于两侧的连接线构成的共计6条连接线上的某一个电极。5.如权利要求1或者4所述的半导体器件，其特征在于上述相邻的连接线的间隔比周围大的部位是连接在这些连接线上的电极的间隔比周围大的部位。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于连接在上述相邻的连接线上的电极间的距离是400μm以上。7.如权利要求1或者4所述的半导体器件，其特征在于上述相邻的连接线的间隔比周围大的部位是连接在这些连接线上的外部电极端子的间隔比周围大的部位。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于连接在上述相邻的连接线上的外部电极端子间的距离是600μm以上。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述外部电极端子包括与外部连接的外引线和在上述密封构件的内部与上述半导体芯片相向配置的内引线。10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述连接线是金丝。11.一种半导体器件的制造方法，这是以树脂密封具有多个电极的半导体芯片、安装上述半导体芯片的安装部、一端与上述半导体芯片相向配置而另一端与外部连接的多个外部电...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦志康，高田泰纪，堀部裕史，英贺文昭，樋口德昌，铃木康仁，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]