【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更详细地说，涉及半导体芯片、安装部、外部电极端子的一端及连接线被树脂密封了的。
技术介绍
近年来，对半导体封装的小型化、薄型化及高密度化的要求越来越高。由此，存在缩小设置在半导体芯片的表面上、通过金丝与内引线连接成环状的焊接区的尺寸，同时缩短焊接区之间的距离的趋势。进而，缩短金丝直径而加长环的长度。例如，以往一般使用的金丝直径是28μm左右，今后需要小于25μm的金丝直径。但是，半导体器件具有半导体芯片、安装半导体芯片的管芯焊接区、金丝及内引线等通过树脂密封的结构。具体地说，密封是在组装了半导体器件的各结构要素后，将其放入规定的模具的状态下，通过从设置在模具一角的注入口注入树脂来进行的。然而，在缩小金丝直径，而且通过缩小焊接区间隔使金丝间隔缩小了的半导体封装中，在上述密封工序中，当树脂流入模具中时，存在产生金丝流的问题。图6是现有的半导体器件的平面图。此外，在图中的半导体器件中，为了说明，仅仅示出了半导体芯片120及金丝121，而省略了其他部分。从注入口注入的树脂沿图中的箭头方向流动。这时，伴随着树脂的流动，在全部的金丝上产生金丝流，特别是，由...
【技术保护点】
一种半导体器件，它配备了：具有多个电极的半导体芯片；安装上述半导体芯片的安装部；一端与上述半导体芯片相向配置、另一端与外部连接的多个外部电极端子；连接上述电极与上述外部电极端子的一端的多条连接线；以及 以树脂密封上述半导体芯片、上述安装部、上述外部电极端子的一端及上述连接线，呈矩形状的密封构件，该半导体器件特征在于： 在包括上述半导体芯片的角部、上述密封构件的角部及相邻的连接线的间隔比周围大的部位的部分的至少１个部分中，进行１个电 极和与该电极邻接的另１电极的电极配置，以使连接在上述...
【技术特征摘要】
JP 2003-6-24 180062/031.一种半导体器件，它配备了具有多个电极的半导体芯片；安装上述半导体芯片的安装部；一端与上述半导体芯片相向配置、另一端与外部连接的多个外部电极端子；连接上述电极与上述外部电极端子的一端的多条连接线；以及以树脂密封上述半导体芯片、上述安装部、上述外部电极端子的一端及上述连接线，呈矩形状的密封构件，该半导体器件特征在于在包括上述半导体芯片的角部、上述密封构件的角部及相邻的连接线的间隔比周围大的部位的部分的至少1个部分中，进行1个电极和与该电极邻接的另1电极的电极配置，以使连接在上述1个电极上、因上述树脂密封时的树脂的流动引起了变位的连接线和与该变位后的连接线邻接、连接在上述另1电极上的连接线之间的间隔实质上等于连接线的直径。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述半导体芯片的角部中的上述1个电极是将上述半导体芯片的对角线夹持并使之位于中央的6个电极内的任何一个的1的电极。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述密封构件的角部中的上述1个电极是通过连接线连接在将上述密封构件的对角线夹持并使之位于中央的6个外部电极端子上的6个电极内的某一个电极。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于在包括上述相邻的连接线的间隔比周围大的部位的部分中的上述1个电极是连接在由上述相邻的连接线和将这些连接线夹持在中央而位于两侧的连接线构成的共计6条连接线上的某一个电极。5.如权利要求1或者4所述的半导体器件，其特征在于上述相邻的连接线的间隔比周围大的部位是连接在这些连接线上的电极的间隔比周围大的部位。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于连接在上述相邻的连接线上的电极间的距离是400μm以上。7.如权利要求1或者4所述的半导体器件，其特征在于上述相邻的连接线的间隔比周围大的部位是连接在这些连接线上的外部电极端子的间隔比周围大的部位。8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于连接在上述相邻的连接线上的外部电极端子间的距离是600μm以上。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述外部电极端子包括与外部连接的外引线和在上述密封构件的内部与上述半导体芯片相向配置的内引线。10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于上述连接线是金丝。11.一种半导体器件的制造方法，这是以树脂密封具有多个电极的半导体芯片、安装上述半导体芯片的安装部、一端与上述半导体芯片相向配置而另一端与外部连接的多个外部电...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦志康，高田泰纪，堀部裕史，英贺文昭，樋口德昌，铃木康仁，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。