半导体器件制造技术

一种半导体器件，对于Ｃｕ布线／Ｌｏｗ－ｋ材料的叠层布线结构ＬＳＩ，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的ＬＳＩ同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Ｃｕ布线／Ｌｏｗ－ｋ绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Ｃｕ布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Ｃｕ层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ｔｉ（钛）膜或（钨）膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件。
技术介绍
至今在半导体器件内的半导体元件间的连线中使用铝合金布线，使用键合焊丝等连接构件与外部电连接。为了抑制这些连接构件的连接的健全性下降，例如在(日本)特开平5-6915号公报(专利文献1)中公开的专利技术中，在被绝缘膜覆盖的半导体衬底上的键合焊丝连接用电极焊盘部分的结构中，提出以下结构绝缘膜由SiO膜或磷酸硅玻璃(PSG)构成，电极焊盘由下层为Al膜、中间层为Ti化合物膜、上层为Al膜的三层结构组成，防止所述绝缘膜和Ti化合物之间的层间剥离。特开平5-6915号公报在半导体元件中，形成以该铝合金膜为布线主层的多层叠层布线，这种叠层布线在铝合金膜的下层上叠层阻挡金属膜，在上层叠层帽盖金属膜。阻挡金属膜例如以防止硅衬底的Si、铝合金膜的铝分别相互扩散的目的而形成。分别依次叠层这种阻挡金属膜、铝合金膜、阻挡金属膜的多层叠层布线的最终布线层被用作键合焊盘(外部端子)。这种键合焊盘例如通过形成于覆盖其表面上的最终绝缘膜(最终保护膜)的键合开口而使焊丝被键合。在焊丝上主要使用金焊丝。该键合焊盘部以键合开口作为掩模，上层的帽盖金属膜通过腐蚀被除去。除去帽盖金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括连接到以铜为主要成分的布线层且与外部电连接的外部连接焊盘部，其特征在于：所述布线层形成在介电常数比ＳｉＯ低的第一层间绝缘膜上；在所述布线层上形成有第二层间绝缘膜，所述外部连接焊盘部形成在所述第二层间绝缘膜 上；所述外部连接焊盘部包括第一层和形成于所述第一层上的第二层；所述第二层比所述第一层的弹性系数高。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-24 178990/20031.一种半导体器件，包括连接到以铜为主要成分的布线层且与外部电连接的外部连接焊盘部，其特征在于所述布线层形成在介电常数比SiO低的第一层间绝缘膜上；在所述布线层上形成有第二层间绝缘膜，所述外部连接焊盘部形成在所述第二层间绝缘膜上；所述外部连接焊盘部包括第一层和形成于所述第一层上的第二层；所述第二层比所述第一层的弹性系数高。2.如权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述第一层比所述第二层厚。3.一种半导体器件，包括连接到以铜为主要成分的布线层且与外部连接的键合焊盘部，其特征在于所述布线层形成在介电常数比SiO低的第一层间绝缘膜上；在所述布线层上形成有第二层间绝缘膜，在所述第二层间绝缘膜上形成有与所述布线层电连接的键合焊盘部；所述键合焊盘部包括电连接所述布线层的第一层、形成在所述第一层上的第二层、以及形成在所述第一层和所述第二层之间的第三层；所述第三层比所述第一层及第二层的弹性系数高，所述第一层比第二层的弹性系数高。4.如权利要求3的半导体器件，其特征在于，所述第一层比所述第二层厚。5.如权利要求1的半导体器件，其特征在于，在所述键合布线层上具有在所述键合焊盘部处具有开口部的保护膜。6.一种半导体器件，包括半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的半导体元件；形成在所述半导体元件上的第一绝缘膜层；形成在所述第一绝缘膜层上的以铜为主要成分的布线层；形成在所述布线上的第二层间绝缘膜；形成在所述第二层间绝缘膜上且通过形成在所述第二层间绝缘膜中的栓塞电连接到所述布线的键合布线层...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中直敬，岩崎富生，三浦英生，中岛靖之，松泽朝夫，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]