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一种半导体器件，对于Ｃｕ布线／Ｌｏｗ－ｋ材料的叠层布线结构ＬＳＩ，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的ＬＳＩ同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Ｃｕ布线／Ｌｏｗ－ｋ绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Ｃｕ布线层形成，...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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