灰色调掩模的缺陷检查方法和灰色调掩模的制造方法技术

本发明专利技术提供一种灰色调掩模的缺陷检查方法，该灰色调掩模在薄膜晶体管基板的制造工序中使用，并具有遮光部（１１ａ、１１ｂ）、透光部（１２）和灰色调部（１３），其特征在于，上述方法包括把具有超过规定容许范围的缺陷水平的黑缺陷和／或白缺陷的掩模作为不良而抽出的灰色调部的缺陷检查工序；关于上述规定容许范围，白缺陷的比黑缺陷的大（使白缺陷的阈值较大（不严格），使黑缺陷的阈值较小（严格））。从而可在不降低灰色调掩模制造的成品率的前提下防止在ＴＦＴ基板中发生缺陷。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制造液晶显示装置用薄膜晶体管基板等的灰色调掩模的灰色调部的缺陷检查方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示装置(以下称为TFT-LCD)，与CRT相比，具有容易做成薄型且耗电低的优点，因而目前正快速地商品化。TFT-LCD具有以下概略结构把具有在呈矩阵状排列的各像素中排列有TFT的结构的TFT基板，和与各像素对应、排列有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的像素图形的滤色片在液晶相的介入下重合。对于TFT-LCD，制造工序数多，仅TFT基板就使用5～6枚光掩模制造。在这种状况下，提出了一种使用4枚光掩模进行TFT基板制造的方法(例如非专利文献1，专利文献1)。该方法通过使用具有遮光部、透光部和灰色调部的光掩模(以下称为灰色调掩模)，减少要使用的掩模枚数。图3表示使用灰色调掩模的TFT基板的制造工序的一例。在玻璃基板1上形成栅电极用金属膜，通过使用光掩模的光刻处理形成栅电极2。之后，形成栅绝缘膜3、第1半导体膜4(a-Si非晶硅)、第2半导体膜5(掺入N+的a-Si)、源极漏极用金属膜6、以及光致抗蚀膜7(图3(1))。然后，通过使用灰色调掩模8，对正成像型光致抗蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灰色调掩模的缺陷检查方法，该灰色调掩模在薄膜晶体管基板的制造工序中使用，并具有遮光部、透光部和灰色调部，其特征在于，上述方法包括把具有超过规定容许范围的缺陷水平的黑缺陷和／或白缺陷的掩模作为不良而抽出的灰色调部的缺陷检查工序；　 　关于上述规定容许范围，白缺陷的比黑缺陷的大。

【技术特征摘要】
JP 2003-4-1 098499/20031.一种灰色调掩模的缺陷检查方法，该灰色调掩模在薄膜晶体管基板的制造工序中使用，并具有遮光部、透光部和灰色调部，其特征在于，上述方法包括把具有超过规定容许范围的缺陷水平的黑缺陷和/或白缺陷的掩模作为不良而抽出的灰色调部的缺陷检查工序；关于上述规定容许范围，白缺陷的比黑缺陷的大。2.根据权利要求1所述的灰色调掩模的缺陷检查方法，其特征在于，上述灰色调部是形成有在使用灰色调掩模的曝光机的极限分辨率以下的遮光图形的...

【专利技术属性】
技术研发人员：池边寿美，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]