闪存器件及编程方法技术

一种用于编程闪存器件的方法包括：选择与多个存储器串连接的位线；以及选择字线。将较低位编程到与所选择的字线连接的存储单元内，且将较高位编程到该存储单元内。重复所述选择字线的步骤以及所述编程该较高位的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存器件，特别涉及一种可防止在存储单元(memory cell)之间的干扰(interference )现象的编程方法。
技术介绍
图l是传统闪存器件的框图参照图1，该闪存器件包括存储单元阵列lO以及页面緩冲器Pl至Pn(n 是整数)。该存储单元阵列10包括多个单元串(cell string ) Cle至Cne以及 Clo至Cno。该多个单元串Cle至Cne以及Clo至Cno的每一个包括多个 用于储存数据的存储单元(未示出)。该页面緩冲器PI至Pn通过偶数位线BLe 以及奇数位线BLo而连接至所述多个单元串Cle至Cne以及Clo至Cno。 具体地， 一个页面緩冲器PI通过形成一对的该偶数位线BLe以及该奇数位 线BLo而连接至该单元串Cle以及Clo。一般的闪存器件操作如下。以页面緩冲器PI为例进行描述。该页面緩 沖器PI被加载要进行编程的数据，且由位线选择单元(未示出)来选择该偶数 位线BLe或该奇数位线BLo两者任一。如果选择该偶数位线BLe,则对从 在连接至该偶数位线Ble的单元串Cle中包括的多个单元中选择出来的一个 单元进行编程。然而，当闪存器件的集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种编程闪存器件的方法，该方法包括：选择连接至多个存储器串的位线；选择字线；将较低位编程到与所选择的字线连接的存储单元内，并将较高位编程到所述存储单元内；以及重复所述选择字线的步骤以及所述编程较高位的步骤。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 96099/061.一种编程闪存器件的方法，该方法包括选择连接至多个存储器串的位线；选择字线；将较低位编程到与所选择的字线连接的存储单元内，并将较高位编程到所述存储单元内；以及重复所述选择字线的步骤以及所述编程较高位的步骤。2. 如权利要求1所述的方法，其中，所述闪存器件包括第一存储器组， 其具有多个存储器串；第二存储器组，其具有与所述第一存储器组相同的构 造；以及页面緩沖器组，其具有与所述第一或第二存储器组的存储器串相同 数量的页面緩冲器。3. —种闪存器件，其包括多个存储单元串，每一个包括用于在其中存储数据的多个存储单元； 多个页面緩冲器，分别通过位线连接到所述多个存储单元串； 多个第一开关元件，分别连接到所述位线，且被配置为根据第一信号而 提供电源电压给所述位线；以及多个第二开关元件，连接在所述页面缓冲器以及所述位线之间，并被配置为响应于第二信号而导通或截止。4. 如权利要求3所述的闪存器件，其中，所述第一以及第二开关元件的 每一个包括NMOS晶体管。5. —种闪存器件，其包括 第一存储器组，包括多个存储器串；第二存储器组，具有与所述第一存储器组相同的构造；以及 页面緩冲器组，通过偶数位线而连接至所述第一存储器组的存储器串、 并通过奇数位线而连接至所述第二存储器组的存储器串，所述页面緩冲器...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基锡，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]