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一种用于编程闪存器件的方法包括：选择与多个存储器串连接的位线；以及选择字线。将较低位编程到与所选择的字线连接的存储单元内，且将较高位编程到该存储单元内。重复所述选择字线的步骤以及所述编程该较高位的步骤。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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