高编程速度的多阶单元存储器制造技术

本发明专利技术提供了一种用以编程快闪式多阶存储单元存储器的方法与装置。该方法包括载入数据至静态随机存取存储器中。该方法包括从静态随机存取存储器中的数据中读取多个多位字，并且载入该字到电源控制电路的至少一个锁存器缓冲器。该方法还包含将该锁存器缓冲器中的一个字的一个或多个位与该锁存器缓冲器中另一个字的一个或多位配对，并且确定哪一个位对需要被编程。此外，该方法还包括以并行方式编程所选定位对的存储器单元。该方法还可以包括通过施加一个电压至与所选定位对相对应的存储器单元的晶体管的漏极侧，来编程每一个多阶存储器单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体快闪(flash)存储器。更具体而言，本发 明涉及对快闪多阶单元(multiple level cell)存储器进行编程。
技术介绍
快闪存储器经常被使用在电子产品中。在快闪存储器阵列中的一 存储单元通常包含在衬底上的控制栅极、漏极扩散区域、以及源极扩 散区域，以形成一个晶体管。该晶体管在控制栅极之下有浮动栅极， 其形成电子储存装置。通道区域置于该浮动栅极之下，并具有介于该 通道和该浮动栅极之间的以隧道氧化层形式存在的绝缘层。该隧道氧 化层的能障可以通过施加一个足够高的横跨该隧道氧化层的电场来 加以克服。这允许电子穿越该隧道氧化层，因此改变储存在浮动栅极 内的电子的数目。储存在浮动栅极内电子的数目，决定了该单元的临 界电压(Vt)，其代表该单元的储存数据。更多的电子储存在浮动栅 极内，导致该单元有较高的临界电压，其代表该单元的储存数据。为了将单元的临界电压改变至一个较高或较低的值，通过施加适 当的电压至包含该控制栅极、该漏极和源极区域、以及该通道区域等 等的节点，来增加或减少储存在浮动栅极内的电子数目。这导致电子 在一个或多个节点之间移动，以及穿越隧道氧化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于并行编程快闪多阶存储器单元存储器的方法，所述方法包括：载入数据至暂存存储器；从所述暂存存储器中的所述数据中读取多个多位字；将所述多个字载入到至少一个锁存器缓冲器中；将从所述至少一个锁存器缓冲器中所述多个字之一而来的一个或多个位，与从所述至少一个锁存器缓冲器中所述多个字中另一个而来的一个或多个位进行配对；决定哪些位对需要被编程；以及以并行方式将所选定的位对编程至所述存储器单元。

【技术特征摘要】
US 2006-10-26 11/586,6571、一种用于并行编程快闪多阶存储器单元存储器的方法，所述方法包括载入数据至暂存存储器；从所述暂存存储器中的所述数据中读取多个多位字；将所述多个字载入到至少一个锁存器缓冲器中；将从所述至少一个锁存器缓冲器中所述多个字之一而来的一个或多个位，与从所述至少一个锁存器缓冲器中所述多个字中另一个而来的一个或多个位进行配对；决定哪些位对需要被编程；以及以并行方式将所选定的位对编程至所述存储器单元。2、 如权利要求1所述的方法，还包括 选取多个电压之一；以及经由多个N型金属氧化物半导体源极跟随器之一，施加所选取 的电压至与所选定的位对相对应的存储器单元的晶体管的漏极。3、 如权利要求2所述的方法，其中，施加所选取的电压的步骤 包括经由所述多个N型金属氧化物半导体源极跟随器之一以及驱 动电路，施加所选取的电压。4、 如权利要求1所述的方法，还包括 将所述多个字载入至指标静态随机存取存储器。5、 如权利要求4所述的方法，还包括-将所述被编程的位对与指标静态随机存取存储器中所述多个字 的对应的位对进行比对。6、 如权利要求5所述的方法，还包括 判断所述位对是否成功地被编程；以及改变所有被成功编程的位对在所述指标静态随机存取存储器中 的指标值，以指示这些位对已经成功地被编程。7、 如权利要求5所述的方法，还包括 判断是否有任何位对没有被成功地编程；以及 以并行方式再一次编程含有没有被成功地编程的位对的存储器单元。8、 如权利要求1所述的方法，还包括将所述被编程的位对与在所述暂存存储器中数据的对应的位对 进行比对。9、 如权利要求8所述的方法，还包括 判断所述位对是否成功地被编程；以及改变数据中所有被成功编程的位对在所述暂存存储器中的指标 值，以指示这些位对已经成功地被编程。10、 如权利要求l所述的方法，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重光，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]