【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及闪存设备,并且M涉及多位闪存设^l^和对其编程的方法。技术背景包括电可擦可编程只读存^诸器(EEPROM)的NAND闪存已被推荐为电可重写 非易失性半导#賭器。在NAND闪存中，并排安置的^f渚单元的源极和漏极是串 联连接的，并且存储单元的串联连接作为一个单元连接到位线。此外，沿行方向设 置的所有或一半单元被同时写入其中或从中读出。最近，已经研发了能够使数据 项保存在NAND闪速##器中的一个单元的多值务賭器。常规多值^#器可以包括，例如,三个#^诸单元或状态0、 1、 2、 3。当 ##单元被擦除时,^^诸单元中的数据处于状态0。写入操作导致^^诸单元的阈值 电压提到更高电平。当2位数据被^#在单个##单元时,该2位数据被分成第一 和第二页面数据。第一页面数据和第二页面数据是用地址切换的。当数据被写入^^诸单元时,第 一页面数据被写入然后第二页面数据被写入。当 构成第一页面或第二页面数据的写数据是'T，时,存储单元的阈值电压在写入操作 过程中不发生变化，从而存储单元中的数据保持不变。即数据没有被写入。当构成 第一页面或第二页面数据的写数...
【技术保护点】
一种编程多位非易失性存储器设备的方法，所述多位非易失性存储器设备包括具有多个存储单元的存储单元阵列和电耦合至存储单元阵列的存储部件，所述方法包括： 将多位数据的第一位（ＦＢ）从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个；和 利用数据反相将多位数据的第二位（ＳＢ）从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。
【技术特征摘要】
KR 2006-8-24 80698/06;US 2007-8-22 11/843,2191 、 一种编程多位非易失性^^诸器设备的方法,所述多位非易失性存储器设备 包括具有多个存储单元的存储单元阵列和电^^至存储单元阵列的^H诸部件，所述方法包括将多位数据的第一位(FB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个务賭单元 的其中一个；和利用数据反相将多位数据的第二位(SB)AM^诸部件编程到存储单元阵列中的 多个^^诸单元的其中一个。2、如权利要求l所述的方法，其中编程多位数据的第二位包括利用数据反相^^亍第一SB编程；执行第二SB编程；和^^亍第三SB编程以提供多位数据的已编程第二位。3 、如权利要求2所述的方法，其中利用数据反相的第一SB编程I剁乍包括在第一 SB编程操作之后将第一SB编程操作之前其数据处于FB状态10的其中一个存储 单元中的数据置为SB状态10。4、 如权利要求3所述的方法，其中存储部件中的数据^^相并且其中^Vf亍第一 SB编程包括利用反相数据执行第一SB编程。5、 如权利要求3所述的方法，其中数据反相之后数据0被禁止而其中数据1 被编程。6 、如权利要求2所述的方法，其中第二SB编程操作包括在第二SB程序之后将第 二SB编程之前其数据处于FB状态10(已编程的LSB)的其中一个^f诸单元置为状 态00。7 、如权利要求2所述的方法,其中第三SB编程操作包括在第三SB编程操作之后 将在第三SB编程操作之前其数据处于状态11的其中一个存储单元置为状态01 ，以提供多位数据的已编程第二位。8、 如权利要求l所述的方法，其中利用数据反相编程使得多位数据的第二位 被编程到具有两个读取操作的存储单元中。9、 如权利要求8所述的方法，其中利用两个读取操作读取多位数据的第二位 进一步包括将第一读取电压 口到其中一个##单元；以及 将第二读取电压施加到其中一个存储单元以读取其中一个存储单元中的多位 数据的第二位。10、 如权利要求l所述的方法，进一步包括通过将读取电压 口到其中一个存 储单元来读取多位数据的第 一位，以读取多位数据的第 一位。11、 如权利要求l所述的方法，其中多位数据的第Hi^应于多位数据的最低 有效位(LSB)并且其中多位数据的第二^^十应于多位数据的最高有效位(MSB)。12、 如权利要求11所述的方法,其中多位数据包括具有状态0、状态1、状态 2，，和状态3其中一个的数据，其中每个状态具有不同的阈值电压并且其中状态 0的MSB是l而状态0的LSB是l，状态r，的MSB是0而状态r的LSB是l,状态2 的MSB是0而状态2的LSB是0，并且状态3的MSB是1而状态3，，的LSB是0。13、 如权利要求l所述的方法，其中编程多位数据的第二位包括 从^^诸部件加Mi目数据；基于加载的反相数据将多位数据的第二位编程到多个存储单元的其中一个， l吏4寻多位l封居的第二位通过最多两次读耳又才喿作4皮编矛呈。14、 如权利要求l所述的方法，其中从^f诸部件编程多位数据的第一位包括 加载所述多位数据；将多位数据的第 一位编程到多个^f诸单元的其中 一个；确^A否已经正确地编程了多位数据的第一位...
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