向闪存芯片中烧写数据文件的方法、预处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种向闪存芯片中烧写数据文件的预处理方法及装置，和向闪存芯片中烧写数据文件的方法。其方法包括：调用向闪存芯片中烧写数据文件所需的ECC算法函数对数据文件进行ECC算法校验，生成ECC校验码；将经过ECC算法校验的数据文件发送给关闭了ECC算法功能的闪存编程器。采用本发明专利技术实施例提供的方法及装置，由于不需要芯片编程器参与ECC算法校验，即使芯片编程器不支持向所述闪存芯片中烧写数据文件所需的ECC算法，也可以由该芯片编程器向所述闪存芯片中烧写数据文件，避免了对芯片编程器所支持ECC算法的依赖。由于预处理过程中的ECC算法可以通过软件实现，其实现成本远远低于更换芯片编程器的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存
，尤其涉及一种向闪存芯片中烧写数据文件的方法、预处理方法及装置。
技术介绍
与NOR Flash (英特尔公司开发的一种闪存技术)相比，NAND Flash (与非闪存，东芝公司开发的一种闪存技术)的集成度更高，每bit (比特)成本更低，是高数据存储密度的理想解决方案。一种常用的NAND Flash芯片量产方案是，采用NAND Flash编程器将NAND Flash系统软件的数据文件烧写到多个NAND Flash空白芯片中。由于NAND Flash存在“位反转(bit twiddling)”现象，因此 NAND Flash 编程器需要使用 ECC (Error Correcting Code,错误检查和纠正)算法对数据文件进行校验来确保系统软件运行的可靠性。在NAND Flash中常用的ECC算法包括Hanming (汉明码)纠错算法、BCH (—种二元线性循环码)纠错算法和RC (BCH码的一种特例)纠错算法等等。如果NAND Flash编程器使用ECC算法对数据文件进行校验，具体的NAND Flash编程器以“页”为单位依次从数据文件中读取数据，对每本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种向闪存芯片中烧写数据文件的预处理方法，其特征在于，包括：调用向所述闪存芯片中烧写数据文件所需的错误检查和纠正ECC算法函数对所述数据文件进行ECC算法校验，生成ECC校验码；将携带ECC校验码的数据文件发送给关闭了ECC算法功能的闪存编程器。

【技术特征摘要】
1.一种向闪存芯片中烧写数据文件的预处理方法，其特征在于，包括 调用向所述闪存芯片中烧写数据文件所需的错误检查和纠正ECC算法函数对所述数据文件进行ECC算法校验，生成ECC校验码； 将携带ECC校验码的数据文件发送给关闭了 ECC算法功能的闪存编程器。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，对所述数据文件进行ECC算法校验，包括 以所述闪存芯片的一个读写单元中数据存储区域的大小为读写单位，从所述数据文件中依次读取数据进行ECC算法校验，生成ECC校验码。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该方法还包括 按照读取顺序，将每次读取的数据和对应的ECC校验码保存在新建的数据文件中，所述新建的数据文件即携带ECC校验码的数据文件； 对于一次读取的数据进行ECC算法校验后，将读取的数据和对应的ECC校验码保存在新建的数据文件中，具体包括 将ECC校验码保存在文件信息缓存空间，所述文件信息缓存空间的大小与所述闪存芯片的一个读写单元中文件信息存储区域的大小相同； 按照所述闪存芯片中数据存储区域和文件信息存储区域的对应关系，将读取的数据和所述文件信息缓存空间中的数据保存在所述新建的数据文件中。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对于一次读取的数据进行ECC算法校验后，该方法还包括 将ECC校验码保存在文件信息缓存空间，所述文件信息缓存空间的大小与所述闪存芯片的一个读写单元中文件信息存储区域的大小相同； 按照所述闪存芯片中数据存储区域和文件信息存储区域的对应关系，在所述数据文件中插入所述文件信息缓存空间的数据。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述将ECC校验码保存在文件信息缓存空间，具体包括 将ECC校验码保存在文件信息缓存空间中的指定存储位置。6.—种向闪存芯片中烧写数据文件的方法，其特征在于，包括 关闭了 ECC算法功能的闪存芯片编程器接收携带ECC校验码的数据文件，所述ECC校验码是通过调用向所述闪存芯片中烧写数据文件所需的ECC算法函数对所述数据文件进行E...

【专利技术属性】
技术研发人员：王爱国，高旭，宋国良，
申请(专利权)人：瑞斯康达科技发展股份有限公司，
类型：发明
国别省市：