闪存单元逻辑状态读取值的判断方法技术

本发明专利技术的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I0；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I0与第二比例的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。本发明专利技术中，取第一比例的固定电流I0与第二比例的第i行的参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，减小负载效应对于闪存单元逻辑状态读取的影响。

【技术实现步骤摘要】
闪存单元逻辑状态读取值的判断方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法。
技术介绍
快闪存储器应用于现今的多种应用中，快闪存储器可以读取或者写入数据，而且存储于其中的数据不需要依靠电源来维持，因此，适用于各种数据存储的用途。现有技术中，闪存单元单元阵列的连接示意图参考图1所示，通常在对闪存单元的的逻辑状态的读取方法为：设定一固定电流，对每一行的闪存单元都采用同一个判断标准，当闪存单元的电流值大于等于固定电流值时，判断为逻辑状态为“1”，当闪存单元的电流值小于固定电流时，判断为逻辑状态为“0”。由于每一行闪存单元的金属连线的长短不一致，使得每一行闪存单元的寄生电阻不同，造成的电流值差异不同，因此，难以采用相同的判断标准。然而，对于每一行设定一单独的参考电流，即每一行的闪存单元采用不同的判断标准，当闪存单元的电流值大于等于该行参考电流值时，判断为逻辑状态为“1”，当闪存单元的电流值小于该行参考电流值时，判断为逻辑状态为“0”。然而，由于作为参考的闪存单元一直做擦除，使得该闪存单元的电流远大于正常的闪存单元，导致判断的标准偏离。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，减小闪存阵列中的负载效应对于闪存阵列中每一行判断闪存单元逻辑状态读取的影响。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I0；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I0与第二比例的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。可选的，所述第一比例的范围为70％-80％。可选的，所述第二比例的范围为15％-25％。可选的，所述参考单元包括3-5个所述闪存单元。可选的，所述闪存单元阵列至少500行所述闪存单元。可选的，所述闪存阵列包括多条源线、多条位线和多条字线，每个所述闪存单元连接其中的一条所述源线、一条所述位线和一条所述字线。可选的，同一行的所述闪存单元的控制栅极连接在同一个栅极控制电压上。可选的同一列的所述闪存单元连接在一条源线、一条字线上。可选的所述第一逻辑状态由逻辑1表示。可选的所述第二逻辑状态由逻辑0表示。本专利技术提供的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法中，由于闪存单元阵列中不同行的闪存单元的寄生电阻的不同，导致每一行闪存单元的电流的差异，即闪存单元阵列中的负载效应，取第一比例的固定电流I0与第二比例的第i行的参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，可以减小负载效应对于闪存单元逻辑状态读取的影响。附图说明图1为闪存单元阵列的结构示意图；图2为本专利技术一实施例中闪存单元逻辑状态读取值的判断方法的流程图；图3为本专利技术一实施例中固定电流、参考电流以及临界电流的关系图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想在于，提供一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I0；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I0与第二比例的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。本专利技术中，取第一比例的固定电流I0与第二比例的第i行的参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，减小负载效应对于闪存单元逻辑状态读取的影响。下文结合图1至图3对本专利技术的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法进行具体说明。执行步骤S1，提供一m行n列的闪存单元阵列，参考图1所示，闪存单元阵列中包括有多条源线SL、多条位线BL、多条字线WL。本实施例中，所述闪存单元阵列包括至少500行闪存单元，例如，可以为500、1000、2000等，本专利技术中并不对闪存单元的行数做具体限制。每个闪存单元连接其中的一条源线SL、一条位线BL、一条字线WL。同一行的所述闪存单元连接在一条字线WL，每一行的所述闪存单元的栅极连接在一条控制栅极CG上，同一列的所述闪存单元的源极和漏极分别连接在一条源线SL和一条位线BL上。所述字线WL用于控制是否对所述闪存单元进行读取。在判断一个所述闪存单元的逻辑状态时，首先在控制栅CG上加上一电压，然后在源线SL和位线BL上加上另一电压，测量一闪存单元的源线SL和位线BL之间的电流的大小判断闪存单元的逻辑状态，电流的大小取决于闪存单元中的浮动栅极FG中存储的电荷的多少决定。在本专利技术中，设定一固定电流I0，该固定电流I0的大小根据闪存单元的制备工艺条件设定，一般设定的条件为要满足：阵列中的每个闪存单元的电流值大于等于所述固定电流时，该闪存单元设定为第一逻辑状态，阵列中的每个闪存单元的电流值小于所述固定电流时，该闪存单元设定为第二逻辑状态。执行步骤S2，在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元中的若干个所述闪存单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m，例如，取第一行的若干个闪存单元，在源线SL与位线BL之间加上电压，分别得到这些闪存单元的电流值，取这些电流值得平均值为第一行的参考电流I1，取第二行的若干个闪存单元，在源线SL与位线BL之间加上电压，分别得到这些闪存单元的电流值，取这些电流值得平均值为第二行的参考电流I2，依次类推。在本实施例中，每一行中可以随机选取三个至五个闪存单元作为参考单元，取其电流的平均值。可以理解的是，参考单元中闪存单元的个数并不限于3-5个，可以包括更多个闪存单元，例如5-10个等。执行步骤S3，取第一比例α的所述固定电流I0与第二比例β的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii。在本专利技术中，所述第一比例的范围为70％-80％，第二比例的范围为15％-25％，即Ii＝αI0+βIri，例如，第一行的临界电流Ii＝αI0+βIr1，第二行的临界电流Ii＝αI0+βIr2，以此类推。需要说明的是，本专利技术中所述第一比例范围与所述第二比例范围并不限于上述值，具体的范围及数值应根据实际应用情况进行确定，此为本领域技术人员可以理解的。参考图3所示，假定设定的固定电流I0为15μA，而每一行的参考电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，其特征在于，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I0；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I0与第二比例的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。

【技术特征摘要】
1.一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，其特征在于，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I0；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流Iri，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I0与第二比例的第i行的所述参考电流Iri相加的和为第i行的临界电流Ii，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流Ii时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。2.如权利要求1所述的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，其特征在于，所述第一比例的范围为70％-80％。3.如权利要求1所述的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，其特征在于，所述第二比例的范围为15％-25％。4.如权利要求1所述的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31