【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般系关于内存系统并且尤其系关于用于精确地读取多重位闪存组件的系统及方法。
技术介绍
闪存是一种可以重复写入及可以在无功率消耗下保留内容的电子内存媒介的类型。闪存组件通常具有从100K至300K写入周次的使用期限。不像其中单一字节可以抹除的动态随机存取内存(dynamic randomaccess memory，DRAM)及静态随机存取内存(static random accessmemory，SRAM)组件，闪存组件通常以固定的多重位区块或区段而抹除及写入。闪存技术由电子式可抹除只读存储器(electrically erasableread only memory，EEPROM)芯片技术发展而来，该电子式可抹除只读存储器芯片技术可以在原位置抹除。相较于很多其它的内存组件闪存组件较便宜并且较密集，意指闪存组件每个单位面积可以存储较多的数据。此种新的种类的电子式可抹除只读存储器已经发展成为结合可抹除可程序化只读存储器(erasable programmable read only memory，EPROM)的密度与电子式可抹除只读存储器的电子可抹除能力...
【技术保护点】
一种多重位内存系统（４０），包括：由第一多重位参考单元（７０）读取程序化位值及从第二多重位参考单元（７２）读取未程序化位值以决定平均动态参考数值的参考组件（４６）；以及使用该平均动态参考数值以促使决定是否至少其中一个多重位数 据单元的位是在该程序化状态或在该未程序化状态的比较组件（１０４）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2002-4-12 60/372,361;US 2002-5-1 10/136,1731.一种多重位内存系统(40)，包括由第一多重位参考单元(70)读取程序化位值及从第二多重位参考单元(72)读取未程序化位值以决定平均动态参考数值的参考组件(46)；以及使用该平均动态参考数值以促使决定是否至少其中一个多重位数据单元的位是在该程序化状态或在该未程序化状态的比较组件(104)。2.如权利要求1所述的系统进一步包括以结合的字线(12)连结至在列内的多重位数据单元(10)及以结合的位线(32及34)连结至在行内的多重位数据单元(10)的列及行，所组成的多重位数据单元(10)的区段(64)，以及形成多重位参考对的该第一及第二多重位参考单元(70及72)，该多重位参考对在程序化及抹除循环期间与该多重位数据单元(10)一起程序化及抹除。3.如权利要求2所述的系统，其中至少一个多重位参考对与在字线(12)内的多重位数据单元(10)结合，该参考组件(46)在该字线(12)内的位的读取期间使用该多重位参考对。4.如权利要求2所述的系统，该多重位参考对与在该区段(64)内的多重位数据单元(10)结合，该参考组件(46)在该区段(64)内的位的读取期间使用该多重位参考对。5.如权利要求2所述的系统，该多重位数据单元(10)的区段(64)及该多重位参考对为氧化物-氮化物-氧化物双位数据单元。6.如权利要求1所述的系统，该参考组件(46)判断若该位具有高于该平均动态参考值的读取值，则在该...
【专利技术属性】
技术研发人员：MA万布斯柯克，DG汉密尔顿，PL陈，K栗原，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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