利用自升压来读取与非型闪存设备的方法技术

提供了一种读取ＮＡＮＤ闪存设备的方法。ＮＡＮＤ闪存设备包括被选择的第一位线和未被选择的第二位线。每个位线都连接至单元串，该单元串包括串联连接的串选择晶体管、多个存储器单元晶体管、和源极选择晶体管。在该方法中，首先，对第一位线进行预充电，同时将电源电压施加到第二位线。导通串选择晶体管，并且将读取电压施加到所选择的存储器单元，同时将导通电压施加到未被选择的存储器单元。根据在第一位线上预充电的电荷是否已经放电来检测所选择的存储器单元晶体管的状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种与非型(NAND)闪存设备，更具体地涉及一种用于读 取NAND闪存设备的方法，其减少在读取操作期间可能出现的读取干扰。
技术介绍
闪存设备被广泛用在各种采用了非易失性存储设备的电子应用领域中。 闪存设备典型地用浮栅晶体管(floating gate transistor)作为单位单元(unit cell),并且提供高存储密度、高可靠性、和低功耗。通常，闪存设备被用在 便携式计算机、个人数字助理(PDA)、数字摄像机、移动电话等等中。另夕卜， 也可以将程序代码、诸如基本输入/输出系统(BIOS)的系统数据、和固件存 储在闪存设备中。由于NAND闪存设备可以在相对低的成本下实现高存储密 度，所以NAND闪存设备的使用范围最近逐渐增加。图1图示了常规的NAND闪存设备的单元串结构。图2图示了 NAND 闪存设备在被擦除状态和被编程状态下的阈电压分布。如图1所示，串100包括串选择晶体管110、源极选择晶体管120和多 个存储器单元晶体管131、 132和133。存储器单元晶体管131、 132和133 通过它们公共的漏极/源极区域而被串联连接。串选择晶体管110位于位线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读取ＮＡＮＤ闪存设备的方法，该方法包括：将第一电压施加至耦合到第一单元串的第一位线，所述第一单元串包括第一串选择晶体管、多个第一存储器单元和第一源极选择晶体管；将第二电压施加至耦合到第二单元串的第二位线，所述第二单元串包括第二串选择晶体管、多个第二存储器单元和第二源极选择晶体管；导通所述第一串选择晶体管和第二串选择晶体管；将读取电压施加至所选择的存储器单元；将导通电压施加至未被选择的存储器单元；以及根据与所述第一位线相关联的电压情况来确定所选择的存储器单元的状态，其中施加到所述第二位线的所述第二电压使在未被选择的存储器单元的栅极和沟道之间的电位差降低。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-29 138809/061.一种读取NAND闪存设备的方法，该方法包括将第一电压施加至耦合到第一单元串的第一位线，所述第一单元串包括第一串选择晶体管、多个第一存储器单元和第一源极选择晶体管；将第二电压施加至耦合到第二单元串的第二位线，所述第二单元串包括第二串选择晶体管、多个第二存储器单元和第二源极选择晶体管；导通所述第一串选择晶体管和第二串选择晶体管；将读取电压施加至所选择的存储器单元；将导通电压施加至未被选择的存储器单元；以及根据与所述第一位线相关联的电压情况来确定所选择的存储器单元的状态，其中施加到所述第二位线的所述第二电压使在未被选择的存储器单元的栅极和沟道之间的电位差降低。2. 根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一电压施加到所述第一位 线以对所述第一位线进行预充电，施加到所述第二位线的所述第二电压是电 源电压。3. 根据权利要求1所述的方法，进一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珉圭，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]