温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种读取ＮＡＮＤ闪存设备的方法。ＮＡＮＤ闪存设备包括被选择的第一位线和未被选择的第二位线。每个位线都连接至单元串，该单元串包括串联连接的串选择晶体管、多个存储器单元晶体管、和源极选择晶体管。在该方法中，首先，对第一位线进行预充电，同时...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。