半导体存储器制造技术

技术编号:11381609 阅读:100 留言:0更新日期:2015-05-01 04:18
本发明专利技术公开了半导体存储器。该半导体存储器包括:读出放大器,该读出放大器响应于读出放大器使能信号的激活而操作并且根据位线的电压来确定非易失性存储元件中保持的逻辑,该电压随着流经真实元件晶体管的元件电流而变化;串联耦合在第一节点与地线之间的复制元件晶体管;以及定时生成单元。定时生成单元在经由复制元件晶体管耦合到地线的第一节点从高电平变化到低电平时激活读出放大器使能信号。复制元件晶体管包括接收恒定电压的控制栅和耦合到控制栅的浮栅。从而,可以根据存储元件的电特性来最优地设定读出放大器的激活定时。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体存储器,包括:多个包括元件晶体管的非易失性存储元件,每个元件晶体管包括控制栅和浮栅;耦合到各个元件晶体管的多条位线;共同地耦合到所述控制栅的字线;多个选择开关,这多个选择开关耦合到各条位线并且将这些位线耦合到共同节点;将所述共同节点耦合到预充电线的预充电开关;读出放大器,该读出放大器确定被从每个所述非易失性存储元件经由每条位线读取到所述共同节点的数据的逻辑;重置开关,该重置开关将所述共同节点耦合到地线;以及操作控制电路,该操作控制电路在读取操作中,在被接通的所有选择开关之中,关断与所述非易失性存储元件中未被读取数据的至少一个非易失性存储元件相对应的至少一个选择开关,并且关断被接通的所述重置开关,并且临时接通所述预充电开关以激活所述字线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:森郁内田敏也
申请(专利权)人:斯班逊有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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