半导体存储器制造技术

本发明专利技术提供一种半导体存储器，本发明专利技术所述半导体存储器未设置控制栅，并通过将第一擦除栅和第二擦除栅分别设置于所述第一浮栅和第二浮栅上，则在擦除阶段中，所述半导体存储器可以直接通过第一擦除栅和第二擦除栅进行擦除操作，则不需要在第一位线和第二位线上施加较高的擦除电压，因此可以降低字线与半导体衬底之间的字线氧化介质层的厚度，降低字线氧化介质层的厚度不仅提高开启电流，同时能够减小漏电流，保持较小的关闭电流，同时在读取的时候，降低字线的读取电压，进而节省半导体存储器的功耗。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体存储器。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到编程电压的限制，通过缩小器件尺寸来提高存储密度将会面临很大的挑战，因而研制高存储密度的闪存是闪存技术发展的重要推动力。传统的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于受到结构的限制，实现器件的编程电压进一步减小将会面临着很大的挑战。一般而言，闪存为分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式闪存由于其特殊的结构，相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，包括：衬底和形成于所述衬底中的第一漏极区、源极区和第二漏极区，所述源极区位于所述第一漏极区和第二漏极区之间；第一字线，位于所述第一漏极区和源极区之间的衬底上；第二字线，位于所述第二漏极区和源极区之间的衬底上；源极线，位于所述源极区上；第一浮栅，位于所述第一字线和源极线之间的衬底上，所述第一浮栅部分位于所述源极区上；第一控制栅，位于所述第一浮栅上；第二浮栅，位于所述第二字线和源极线之间的衬底上，所述第二浮栅部分位于所述源极区上；第二控制栅，位于所述第二浮栅上；以及介质层，所述介质层形成于衬底、第一字线、第二字线、源极线、第一浮栅、第一控制栅、第二浮栅及第二控制栅中相邻的两两结构...

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器，包括：衬底和形成于所述衬底中的第一漏极区、源极区和第二漏极区，所述源极区位于所述第一漏极区和第二漏极区之间；第一字线，位于所述第一漏极区和源极区之间的衬底上；第二字线，位于所述第二漏极区和源极区之间的衬底上；源极线，位于所述源极区上；第一浮栅，位于所述第一字线和源极线之间的衬底上，所述第一浮栅部分位于所述源极区上；第一擦除栅，位于所述第一浮栅上；第二浮栅，位于所述第二字线和源极线之间的衬底上，所述第二浮栅部分位于所述源极区上；第二擦除栅，位于所述第二浮栅上；以及介质层，所述介质层形成于衬底、第一字线、第二字线、源极线、第一浮栅、第一擦除栅、第二浮栅及第二擦除栅中相邻的两两结构之间；所述介质层包括字线氧化介质层，所述字线氧化介质层形成于所述第一字线与所述衬底之间以及所述第二字线与所述衬底之间，所述字线氧化介质层的厚度为在擦除、编程或读取阶段时，对擦除栅、位线、源极线、字线分别施加不同的电压值，以完成对所述半导体存储器的擦除、编程或读取操作。2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器还包括，第一位线，形成于所述第一漏极区上；第一隔离层，形成于所述第一字线和所述第一位线之间；第二位线，形成于所述第二漏极区上；第二隔离层，形成于所述第二字线和所述第二位线之间。3.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质为氮化硅或氮氧化硅。4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体存储器，其特征在于，所述介质层的材质为氧化层。5.如权利要求4所述的半导体存储器，其特征在于，所述字线氧化介质层的厚度为6.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾靖，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：