电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及微电子制造及存储器技术领域，公开了一种电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法，该存储器包括：衬底；形成于衬底的沟道之上的隧穿介质层；形成于隧穿介质层之上的电荷存储层；形成于电荷存储层之上的阻挡层；形成于阻挡层之上的控制栅；以及在衬底的沟道两侧掺杂形成的源漏。利用本发明专利技术，通过引入原子掺杂形成多元氧化物电荷存储层，实现了电荷俘获型存储器件编程效率、保持特性等器件性能的优化。同时，本发明专利技术电荷俘获型存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，利于广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子制造及存储器
，尤其涉及一种采用多元氧化物作为电荷存储材料的。
技术介绍
非挥发存储器的主要特点是在不加电的情况下也能够长期保持存储的信息，它既有ROM的特点，又有很高的存储速度。随着移动通信、多媒体应用等对大容量、高速度、低功耗存储的需要，非挥发性存储器，特别是闪速存储器FLASH，所占半导体器件的市场份额变得越来越大，也越来越成为一种相当重要的存储器类型。当前市场上的非挥发性存储器以闪存FLASH为主，但是传统闪存器件存在操作电压过大、操作速度慢、耐久力不够好以及由于在器件缩小化过程中过薄的隧穿氧化层将导 致信息保持时间不够长等缺点。理想的非挥发性存储器应具备操作电压低、结构简单、非破坏性读取、操作速度快、信息保持时间长、器件面积小、耐受性好等条件。目前已经对许多新型材料和器件进行了研究，以达到上述目标，电荷俘获存储器越来越受到广泛的关注。传统的浮栅型非挥发性存储器是采用多晶硅浮栅结构的非挥发存储器，其存在浮栅耦合和漏电问题。器件隧穿介质层上的一个缺陷就会形成致命的漏电通道使得器件失效。然而，电荷俘获型非挥发存储器利用存储层中电荷局域化存储的特性，实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电荷俘获型非挥发存储器，其特征在于，该存储器包括：衬底(101)；形成于衬底(101)的沟道之上的隧穿介质层(102)；形成于隧穿介质层(102)之上的电荷存储层(103)；形成于电荷存储层(103)之上的阻挡层(104)；形成于阻挡层(104)之上的控制栅(105)；以及在衬底(101)的沟道两侧掺杂形成的源漏(106)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，郑志威，霍宗亮，谢常青，张满红，刘璟，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：