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本发明涉及微电子制造及存储器技术领域，公开了一种电荷俘获型非挥发存储器及其制备方法，该存储器包括：衬底；形成于衬底的沟道之上的隧穿介质层；形成于隧穿介质层之上的电荷存储层；形成于电荷存储层之上的阻挡层；形成于阻挡层之上的控制栅；以及在衬底的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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