【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储管理领域,尤指一种位翻转检测方法及装置。
技术介绍
Nand-flash是闪存(flash)的一种,其中,Nand-flash作为一种存储设备,具有容量大、改写速度快、适用于存储大量数据等优点,因而在业界得到了越来越广泛的应用。在使用Nand-flash内存的过程中,通常通过在系统对该Nand-flash内存的存储区域进行读操作的过程中,可以发现位翻转现象,也就是说,在读到发生位翻转区域时可以发现位翻转,接着可以通过错误检查和纠正(ErrorCorrectingCode,简称ECC)算法对位翻转区域进行修复,其中,位翻转是指一个比特bit发生翻转或被报告翻转了。上述现有技术是通过读操作来发现位翻转区域,然而,本领域技术人员在实现上述现有技术的过程中发现,若位翻转区域未及时发现,位翻转的位数超过一限值后,ECC算法将无法对该位翻转区域进行修复,从而导致闪存的可靠性较低。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种位翻转检测方法及装置,用以解决及时发现位翻转区域的问题。为了达到本专利技术目的,本专利技术提供了一种位翻转检测方法,包括:确定 ...
【技术保护点】
一种位翻转检测方法,其特征在于,包括:确定闪存分区的工作状态为空闲态,闪存设备包括至少一个闪存分区;对所述闪存分区进行分块扫描操作,用以确定所述闪存分区是否存在位翻转。
【技术特征摘要】
1.一种位翻转检测方法,其特征在于,包括:确定闪存分区的工作状态为空闲态,闪存设备包括至少一个闪存分区;对所述闪存分区进行分块扫描操作,用以确定所述闪存分区是否存在位翻转。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定闪存分区的工作状态为空闲态,包括以下任意一组或其组合:确定所述闪存分区当前无用户访问;确定当前中央处理器CPU的第一使用率小于第一门限值,所述CPU与所述闪存设备连接,用于对所述闪存设备进行控制操作;确定当前内存的第二使用率小于第二门限值,所述内存与所述CPU连接。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一门限值为20%;所述第二门限值为50%。4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述对所述存闪存分区进行分块扫描操作,包括:向所述闪存设备发送分块读nanddump指令,所述分块读指令包括读取所述闪存分区的数据,用以确定所述闪存分区是否存在位翻转。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述对所述闪存分区进行分块扫描操作之后,还包括:确定所述闪存分区存在位翻转区域;将所述位翻转区域进...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈晓伟,
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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