用于编程快闪存储器件的方法技术

一种用于编程快闪存储器件的方法，包括：将编程偏压施加到存储单元串列中多个存储单元中的存储单元，每个存储单元串列包括源极选择线、多个存储单元、以及漏极选择线；将第一通过偏压施加到在相对于已施加有该编程偏压的存储单元的源极选择线方向上的至少一个存储单元；以及将第二通过偏压施加到在相对于已施加有该第一通过偏压的存储单元的漏极选择线方向上的存储单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及快闪存储器件，更具体地，涉及用于编程快闪存储器件的方 法，该方法防止在编程存储单元时所述存储单元之间的干扰。
技术介绍
NAND快闪存储器件的存储单元阵列包括多个连接到位线的存储单元 串列(string )。每个存储单元串列包括漏极选择晶体管、多个存储单元、以 及源极选择晶体管。每个存储单元的栅极端连接到字线，并响应于从该位线 及该字线所接收的信号而操作。图l描述用于编程快闪存储器件的传统方法。该快闪存储器件包括具有 七个存储单元的存储单元串列。实施该用于编程该快闪存储器件的方法，使 得电子在存储单元的通道中移动到浮动栅极。可以通过Fowler Nordheim (FN)隧穿来选择该存储单元。在编程该存储单元串列时施加到字线WL0至WL6的电压为至少15V。 将其中包含该选择的存储单元的所选择的存储单元串列维持在0V。该选择 的存储单元串列上的0V以最大量增加所述各字线与该通道间的电位差，从 而有助于FN隧穿。当存储单元串列尚未被编程(也即，未选择的存储单元串列)时，不通过 FN隧穿移动电子。因此，所述各字线与该通道间的电位差被最小化。当编 程存储单元串列时，即使施加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于编程快闪存储器件的方法，该方法包括：　　　　将编程偏压施加到存储单元串列中的存储单元，该存储单元串列包括源极选择线、多个存储单元、以及漏极选择线，其中该多个存储单元以串联方式配置于在一端的源极选择线与在相对端的漏极选择线之间；　　　　将第一通过偏压施加到在相对于已施加有该编程偏压的存储单元的源极选择线方向上的至少一个存储单元；以及　　　　将第二通过偏压施加到在相对于已施加有该第一通过偏压的至少一个存储单元的漏极选择线方向上的存储单元。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 96246/061.一种用于编程快闪存储器件的方法，该方法包括将编程偏压施加到存储单元串列中的存储单元，该存储单元串列包括源极选择线、多个存储单元、以及漏极选择线，其中该多个存储单元以串联方式配置于在一端的源极选择线与在相对端的漏极选择线之间；将第一通过偏压施加到在相对于已施加有该编程偏压的存储单元的源极选择线方向上的至少一个存储单元；以及将第二通过偏压施加到在相对于已施加有该第一通过偏压的至少一个存储单元的漏极选择线方向上的存储单元。2. 如权利要求1所述的方法，进一步包括将第三通过偏压施加到在相 对于已施加有该编程偏压的存储单元的源极选择线方向上的剩余存储单元， 所述剩余存储单元不包括已施加有该第一通过偏压的至少一个存储单元，该 第三通过偏压在相对于已施加有该编程偏压的存储单元的漏极选择线方向 上的存储单元中创建通道。3. 如权利要求1所述的方法，其中，所述在相对于已施加有该编程偏 压的存储单元的源极选择线方向上的存储单元其中之一 包括接近已施加有 该编程偏压的存储单元的存储单元。4. 如权利要求1所述的方法，其中 压低。5. 如权利要求2所述的方法，其中 压低。6. 如权利要求l所述的方法，其中 的范围内。7. 如权利要求1所述的方法，其中 的范围内。8. 如权利要求2所述的方法，其中 的范围内。9. 一种用于编程快闪存储器件的方法，该快闪存储器件包括具有多个 以串联方式连接于漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的存储单元的存 储单元串列，该方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙烈，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]