半导体存储器及系统技术方案

本发明专利技术涉及具有存储单元和连接到存储单元的字线的半导体存储器。其中，分别与存储块相对应地形成字译码器、字驱动器、和电压控制电路。字译码器产生提供给字驱动器的晶体管的栅极的字控制信号。电压控制电路，在相应存储块的访问时间段中将提供给字译码器的字控制信号高电平电压设为第一高电压，并在相应存储块的非访问时间段中将其设置为低于第一高电压的第二高电压。高电平电压只在与访问状态改变的存储块相对应的字控制电路中转换到第一高电压或第二高电压。因此，可以防止在与访问状态不变的存储块相对应的高电平电压线中出现浪费的充电／放电电流，并且可减小由于用以减小ＧＩＤＬ电流的电路操作而导致的充电／放电电流以及电流损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有存储单元和连接到该存储单元的字线的半导体存储器°
技术介绍
近来，半导体存储器诸如DRAM、伪SRAM等，被用作安装在诸如 移动电话等便携式设备上的工作存储器(work memory)。由于与SRAM 的存储单元相比，DRAM的存储单元(动态存储单元)较小，所以 DRAM的使用将降低制造成本。另一方面，为了增加保持在存储单元中的 数据的电荷量并改进读余量(read margin)，具有动态存储单元的半导体 存储器将字线的选通电压设置为高于电源电压的电压。在其栅极被提供以高电压的晶体管中，易于发生栅致漏极漏电 (GIDL)电流。由于GIDL电流根据栅极电压而在晶体管的衬底和漏极之 间流动，所以栅极电压越大，GIDL电流变得越大。因此原因，在这种半 导体存储器中，由于栅极接收到高电压的晶体管的GIDL而导致的待机电 流的增加，这在字驱动器中是严重问题。特别地，在栅极接收到高电压的 pMOS晶体管中，高电压被提供给衬底(阱)，因而漏极和衬底之间的电 压差变大，并且GIDL电流趋于变大。(例如，第2005-158223号日本未 审查专利申请公布)已经提出了这样的技术在存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，包括：　　　　多个存储块，每个具有存储单元和连接到所述存储单元的字线；和　　　　字控制电路，分别与所述存储块相对应地形成，且每个所述字控制电路激活／去活所述字线的电平，其中　　　　每个字控制电路包括：　　　　字译码器，所述字译码器在相应存储块的访问时间段中将字控制信号激活为低电平电压，并在相应存储块的非访问时间段中将字控制信号去活为高电平电压；　　　　字驱动器，所述字驱动器具有在栅极接收字控制信号并将其输出连接到所述字线的晶体管，且通过利用所述晶体管，在所述访问时间段中激活由地址选通的字线、并在所述非访问时间段中去活所述字线；和　　　　电压控制电路，所述电压控制电路执行第一操...

【技术特征摘要】
JP 2006-9-27 2006-2627571.一种半导体存储器，包括多个存储块，每个具有存储单元和连接到所述存储单元的字线；和字控制电路，分别与所述存储块相对应地形成，且每个所述字控制电路激活/去活所述字线的电平，其中每个字控制电路包括字译码器，所述字译码器在相应存储块的访问时间段中将字控制信号激活为低电平电压，并在相应存储块的非访问时间段中将字控制信号去活为高电平电压；字驱动器，所述字驱动器具有在栅极接收字控制信号并将其输出连接到所述字线的晶体管，且通过利用所述晶体管，在所述访问时间段中激活由地址选通的字线、并在所述非访问时间段中去活所述字线；和电压控制电路，所述电压控制电路执行第一操作，所述第一操作是指，在所述相应存储块的访问时间段中，将用于向字译码器提供字控制信号的高电平电压的高电平电压线，连接到提供有第一高电压的第一高电压线，并且，在所述相应存储块的非访问时间段中，将所述高电平电压线连接到提供有低于第一高电压的第二高电压的第二高电压线。2. 如权利要求1所述的半导体存储器，进一步包括通过外部控制、将 半导体存储器的操作参数设为第一参数或第二参数的置位单元，其中当置位单元的设置值指示第一参数时，电压控制电路执行第一操作， 并且，当置位单元的设置值指示第二参数时，禁止第一操作并继续将所有 存储块的高电平电压线都连接到所述高电平电压线。3. 如权利要求1所述的半导体存储器，进一步包括刷新地址计数器，所述刷新地址计数器响应于内部刷新请求，顺次产生刷新地址，所述刷新 地址指示所刷新的存储单元以及作为所刷新的存储单元所属的存储块的刷 新块，其中-访问时间段具有响应于访问请求而访问存储单元的激活时间段，和禁 止接受来自所述存储器以外的访问请求、并且响应于内部产生的刷新请求而刷新存储单元的自刷新时间段；与除所述刷新块之外的存储块相对应的所述电压控制电路执行第一操作；以及与所述刷新块相对应的所述电压控制电路执行第二操作，所述第二操 作继续将所述高电平电压线连接到第一高电压线。4. 如权利要求3所述的半导体存储器，进一步包括通过外部控制、将 半导体存储器的操作参数设置为第一参数或第二参数的置位单元，其中当所述置位单元的设置值指示第一参数时，所述电压控制电路根据刷 新地址执行第一操作或第二操作，并且，当所述置位单元的设置值指示第 二参数时，禁止第一操作和第二操作，并继续将所有存储块的高电平电压 线都连接到所述高电平电压线。5. 如权利要求1所述的半导体存储器，其中访问时间段具有响应于访问请求访问存储单元的激活时间段，和禁止 接受来自存储器以外的访问请求、并且响应于内部产生的刷新请求来刷新存储单元的自刷新时间段；并且所述电压控制电路在自刷新时间段中执行第一操作，并且，在激活时 间段中执行第三操作，所述第三操作将所述高电平电压线连接到第一高电 压线。6. 如权利要求5所述的半导体存储器，进一步包括通过外部控制、将半导体存储器的操作参数设为第一参数或第二参数的置位单元，其中当所述置位单元的设置值指示第一参数时，电压控制电路执行与访问 时间段相对应的第一操作或第三操作，且当所述置位单元的设置值指示第 二参数时，禁止第一操作和第三操作，并继续将所有存储块的高电平电压 线都连接到所述高电平电压线。7. 如权利要求1所述的半导体存储器，其中访问时间段具有响应于访问请求而访问存储单元的激活时间段，和禁 止接受来自存储器以外的访问请求、并且响应于内部产生的刷新请求而刷新存储单元的自刷新时间段；并且所述电压控制电路在自刷新时间段执行第一操作，并且在激活时间段 执行第四操作，第四操作是指，当存储块中的任一个被访问时将所述高电 平电压线连接到第一高电压线，当存储块均未被访问时将所述高电平电压 线连接到第二高电压线。8. 如权利要求7所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林广之，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]