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一种用于编程快闪存储器件的方法，包括：将编程偏压施加到存储单元串列中多个存储单元中的存储单元，每个存储单元串列包括源极选择线、多个存储单元、以及漏极选择线；将第一通过偏压施加到在相对于已施加有该编程偏压的存储单元的源极选择线方向上的至少一个...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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