编程存储器装置制造方法及图纸

通过以下步骤来编程存储器装置（１００）的目标存储器单元：向包括所述目标存储器单元的字线施加编程电压（３２４、３３６、３４２）；确定所述目标存储器单元是否被编程；以及如果确定所述目标存储器单元未被编程，那么将所述编程电压增加阶跃电压（３３４、３４０）。初始编程电压（３２４）和所述阶跃电压每一者可在制造所述存储器装置之后进行选择。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及存储器装置，且明确地说，本专利技术涉及编程存储器装置。
技术介绍
典型的快闪存储器包含包括许多存储器单元的存储器阵列。所述存储器单元中的每 一者包括嵌入在MOS晶体管中的浮动栅极。所述单元通常被分组成称为擦除块的扇 区。可通过使电荷穿隧到浮动栅极来选择性地对擦除块内的每一单元进行电编程。通常 通过块擦除操作来从浮动栅极移除负电荷，其中在单个操作中擦除所述擦除块中的所有 浮动栅极存储器单元。两个常见类型的快闪存储器阵列结构是与非和或非结构，这样说是因为每 一结构的基本存储器单元配置分别与基本与非或或非门电路具有相似之处。在 或非阵列结构中，将存储器阵列的浮动栅极存储器单元布置成矩阵。阵列矩阵的每一浮动栅极存储器单元的栅极按行连接到字选择线(字线)，且其漏极连接到列位线。每一浮 动栅极存储器单元的源极通常连接到共用源极线。或非结构浮动栅极存储器阵列由行解 码器存取，所述行解码器通过选择连接到浮动栅极存储器单元栅极的字线来启动浮动栅极存储器单元行。选定存储器单元行接着通过使不同电流(如果在编程状态或非编程状 态中)从连接的源极线流动到连接的列位线来将其存储的数据值放本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种编程存储器装置的目标存储器单元的方法，其包含：向包括所述目标存储器单元的字线施加编程电压；确定所述目标存储器单元是否被编程；以及如果确定所述目标存储器单元未被编程，那么将所述编程电压增加阶跃电压；其中初始编程电压和所述阶跃电压每一者可在制造所述存储器装置之后进行选择。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-5-11 11/126,7901.一种编程存储器装置的目标存储器单元的方法，其包含向包括所述目标存储器单元的字线施加编程电压；确定所述目标存储器单元是否被编程；以及如果确定所述目标存储器单元未被编程，那么将所述编程电压增加阶跃电压；其中初始编程电压和所述阶跃电压每一者可在制造所述存储器装置之后进行选择。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述初始编程电压选自多个初始编程电压。3. 根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中所述阶跃电压选自多个阶跃 电压。4 根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法,其中一部包括所属目标存储器单元的所述字线施加所述编程电压的同时向不包括所述目标存储器单元的 字线施加穿过电压，其中所述穿过电压不足以编程存储器单元且启动不包括所述目 标存储器单元的所述字线的存储器单元。5. 根据权利要求4所述的方法，其中所述穿过电压可在制造所述存储器装置之后进行 选择。6. 根据权利要求5所述的方法，其中所述穿过电压选自多个穿过电压。7. 根据权利要求4所述的方法，其进一步包含设定允许将向不包括所述目标存储器单 元的字线施加的电压和向包括所述目标存储器单元的所述字线施加的电压从初始 电平增加到所述穿过电压的时间长度。8. 根据权利要求7所述的方法，其中所述时间长度可在制造所述存储器装置之后进行 选择。9. 根据权利要求8所述的方法，其中设定所述时间长度包含从多个时间长度中选择所 述时间长度。10. 根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包含向源极线施加电压， 所述源极线通过源极选择门选择性地耦合到包括所述目标存储器单元的存储器单 元与非串。11. 根据权利要求10所述的方法，其中向所述源极线施加电压包含向所述源极线施加 Vcc。12. 根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包含向耦合到漏极选择门的控制栅极的漏极选择线施加电压，所述漏极选择门选择性地将位线耦合到包括所述目标存储器单元的存储器单元与非串。13. 根据权利要求12所述的方法，其中向所述漏极选择线施加所述电压包含将施加到 所述漏极选择线的所述电压从第一电压电平增加到第二电压电平且将施加到所述漏极选择线的所述电压从所述第二电平减小到第三电压电平，其中在向包括所述目 标存储器单元的所述字线施加所述编程电压的同时，向所述漏极选择线施加所述第三电压电平。14. 根据权利要求13所述的方法，其中所述第三电压电平可在制造所述存储器装置之后进行选择。15. 根据权利要求14所述的方法，其中所述第三电压电平选自多个第三电压电平。16. 根据权利要求13所述的方法，其中所述第二电压电平是Vcc。17. 根据权利要求16所述的方法，其中所述第三电压介于Vss与Vcc之间。18. 根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包含向耦合到源极选择门的控制栅极的源极选择线施加电压，所述源极选择门将源极线选择性地耦合到包括所述目标存储器单元的存储器单元与非串。19. 根据权利要求18所述的方法，其中向所述源极选择线施加所述电压包含向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：德尊格H阮，本杰明路易，哈戈普A纳扎里安，阿龙叶，韩真晚，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]