闪存器件的编程方法技术

本发明专利技术提供一种闪存器件的编程方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源端和漏端，在所述源端和漏端之间间隙的上方设置有控制栅和浮栅，闪存器件的编程方法包括：在进行编程操作时，分别对漏端、浮栅、控制栅以及半导体衬底施加电压，其中，所述漏端及浮栅施加电压范围均为2V～3V，控制栅施加电压范围为0.7V～1.0V，所述半导体衬底施加电压范围为1V～1.5V。本发明专利技术提供的方法可避免因漏端施加高电压而出现沟道穿通效应，有效缩短分列栅浮栅闪存的关键尺寸，增加了以分列栅浮栅闪存为单元器件的NOR型或NAND型闪存阵列的单元密度，进而增加了闪存的存储容量和密度，提高了器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种闪存器件的编程方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源端和漏端，在所述源端和漏端之间间隙的上方设置有控制栅和浮栅，所述浮栅与所述源端和漏端之间隔有氧化层；其特征在于，所述闪存器件的编程方法包括：在进行编程操作时，分别对漏端、浮栅、控制栅以及半导体衬底施加电压，其中，所述漏端及浮栅施加电压范围均为2V～3V，控制栅施加电压范围为0.7V～1.0V，所述半导体衬底施加电压范围为1V～1.5V。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾经纶，王伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31