闪存器件的编程方法技术

一种用于对非易失性存储器件编程的方法，包括将第一虚电压施加到多级单元（ＭＬＣ）。第一编程电压施加至该ＭＬＣ以对该ＭＬＣ编程，在该第一虚电压已施加至该ＭＬＣ之后，该第一编程电压施加至该ＭＬＣ。该ＭＬＣ被检验是否该ＭＬＣ通过该第一编程电压正确地编程。在已施加该第一虚电压之后，第二虚电压施加至该ＭＬＣ，该第二虚电压比该第一虚电压高Ｎ伏，其中，施加至该ＭＬＣ的该第二虚电压是充分低的电压，以便该第二虚电压不改变该ＭＬＣ的初始状态。在已施加该第二虚电压之后，第三虚电压施加至该ＭＬＣ，该第三虚电压比该第二虚电压高Ｎ伏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存器件，更具体地，涉及一种编程方法，它可以减小具有多级单元的闪存器件的阈值电压分布宽度。
技术介绍
当前，存在对可以电编程和擦除并且不需要刷新数据的半导体存储器件的增大的需求。此外，为开发大容量存储器件，已进行了研究以增大集成水平。因此，已对闪存进行了许多研究。闪存通常分类为NAND闪存或NOR闪存。NOR闪存具有一种结构，其中存储单元独立地连接到位线和字线。它的主要优点是较快的随机存取时间。同时，NAND闪存具有一种结构，其中多个存储单元串联连接并且每个单元串只需要一个接触。其优点是较高水平的集成。因此，NAND型结构通常在高集成闪存中使用。近些年，为进一步增大闪存的集成度，进行了在一个存储单元中存贮多于一个位的研究。这种类型的存储单元通常被称为“多级单元(MLC)”。对应于MLC的单个位的存储单元被称为“单级单元(SLC)”。通常，MLC的阈值电压(Vt)可根据所存贮的数据而设置至各种状态。更详细地，因为2位数据可以被编程到MLC中，所以一个MLC可以存贮四个值(即11、10、01和00)中的任何一个，其中每个二进制值被指定一阈值电压(Vt)状态。MLC的编程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存器件的编程方法，所述方法包括：　　　　重复施加虚阶梯脉冲到这样的程度，使得当逐步增大所述虚阶梯脉冲的电压时，单元的初始状态不改变。　　　　通过将编程电压施加至所述单元来对所述单元编程；以及　　　　执行检验操作以检验所述单元的编程状态。

【技术特征摘要】
KR 2005-10-10 10-2005-00949301.一种闪存器件的编程方法，所述方法包括重复施加虚阶梯脉冲到这样的程度，使得当逐步增大所述虚阶梯脉冲的电压时，单元的初始状态不改变。通过将编程电压施加至所述单元来对所述单元编程；以及执行检验操作以检验所述单元的编程状态。2.权利要求1所述的编程方法，进一步包括如果确定所述单元已被正确地编程，则终止所述编程操作；如果确定所述单元未被正确地编程，则将所述编程电压提高预定的电平；并且将所述提高的编程电压施加至所述单元以对所述单元编程。3.权利要求1所述的编程方法，其中所述虚阶梯脉冲的电压低于所述编程电压的电压。4.权利要求1所述的编程方法，其中施加所述虚阶梯脉冲不需要编程检验操作。5.权利要求1所述的编程方法，其中施加所述虚阶梯脉冲不超过五次。6.权利要求1所述的编程方法，其中所述虚阶梯脉冲和所述编程电压基本上是相同的电位。7.权利要求1所述的编程方法，其中所述单元是多级单元(MLC)。8.权利要求2所述的编程方法，其中所述预定电平约为0.2伏。9.一种用于对非易失性存储器件编程的方法，所述方法包括将第一虚电压施加至单元；将第一编程电压施加至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱锡镇，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]