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一种用于对非易失性存储器件编程的方法，包括将第一虚电压施加到多级单元（ＭＬＣ）。第一编程电压施加至该ＭＬＣ以对该ＭＬＣ编程，在该第一虚电压已施加至该ＭＬＣ之后，该第一编程电压施加至该ＭＬＣ。该ＭＬＣ被检验是否该ＭＬＣ通过该第一编程电压正确地...
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