【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种EEPROM擦写高压转换控制缓存器，特别涉及一种适用 于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器。
技术介绍
随着技术的发展及应用领域的拓宽，各类系统对芯片的低电压下工作的要 求也越来越高。EEPROM存储器芯片由于在许多的低电压应用领域广泛应用， 因此降低EEPROM存储器芯片的工作电压成为当前亟需解决的一大问题，而 适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器(以下简称缓存 器)是实现低电压EEPROM稳定可靠应用的关键因素之一。EEPROM缓存器的主要作用是将待写数据写入该缓存器存储区后，在 EEPROM内部擦写过程中，缓存器跟随EEPROM电荷泵输出高压的抬升转换 输出高压控制信号，将预存在缓存器存储区的数据以一页为单位写入某选定页 地址的EEPROM存储单元，实现EEPROM的页写功能；通过缓存器可使 EEPROM实现1字节至1整页数据的一次性写入。EEPROM缓存器的容量与EEPROM每一页的字节数相同，例如EEPROM 每一页物理存储容量为32字节，缓存器容量也为32字节(参见图1中32x1 Bytes Pa...
【技术保护点】
一种适用于低电压数据写入的ＥＥＰＲＯＭ擦写高压转换控制缓存器，它包括ＭａｓｋＢｕｆ模块、ＤａｔａＢｕｆ模块和数据写入控制逻辑模块，其特征在于，在所述ＭａｓｋＢｕｆ模块和ＤａｔａＢｕｆ模块中的ＳＲＡＭ存储器的真值和互补值端分别设有对地的ＮＭＯＳ管，通过所述数据写入控制逻辑模块对ＮＭＯＳ管进行控制，将数据写入ＭａｓｋＢｕｆ模块及ＤａｔａＢｕｆ模块，在ＥＥＰＲＯＭ内部擦写过程中，缓存器跟随ＥＥＰＲＯＭ电荷泵输出高压的抬升转换输出擦、写高压控制信号。
【技术特征摘要】
1、 一种适用于低电压数据写入的EEPROM擦写高压转换控制缓存器，它 包括MaskBuf模块、DataBuf模块和数据写入控制逻辑模块，其特征在于，在 所述MaskBuf模块和DataBuf模块中的SRAM存储器的真值和互补值端分别 设有对地的NMOS管，通过所述数据写入控制逻辑模块对NMOS管进行控制， 将数据写入MaskBuf模块及DataBuf模块，在EEPROM内部擦写过程中，缓 存器跟随EEPROM电荷泵输出高压的抬升转换输出擦、写高压控制信号。2、 如权利要求1所述的EEPROM擦写高压转换控制缓存器，其特征在于， 所述MaskBuf模块由SRAM存储器、清零管Mn3、 SET管Mn5及一个擦高压 控制管Mn6组成；所述SRAM存储器由高压PMOS管Mpl 、Mp2及高压NMOS 管Mnl、 Mn2组成的4管结构；SET管Mn5的漏极与所述SRAM存储器的真 值端连接，其源极与高压NMOS管Mnl的源极连接然后接地，其栅极接SET 信号；清零管Mn3的漏极与所述SRAM存储器的互补值端连接，其源极与高 压NMOS管Mn2的源极连接然后接地，其栅极接CLR信号；所述SRAM存 储器的互补值端与擦高压控制管Mn6的栅极连接，其衬底引线接地GND。3、 如权利要求1所述的EEPROM擦写高压转换控制缓存器，其特征在于， 所述DataBuf模块由SRAM存储器、清零管Mn3、 SET管Mn5、 RESET管 Mn4及一个写高压控制管Mn6组成；所述SRAM存储器由高压PMOS管Mpl、 Mp2及高压NMOS管Mnl、 Mn2组成的4管结构；SET管Mn5的漏极与所述 SRAM存储器的真值端连接，其源极与高压NMOS管Mnl的源极连接然后接 地，其栅极接SET信号；RESET管Mn4的漏极与所述SRAM存储器的互补 值端连接，其源极与高压NMOS管Mn2的源极连接然后接地，其栅极接RESET 信号；所述SRAM存储器的互补值端与清零管Mn3的漏极连接，其源极与其 衬底引线连接并接地GND，其栅极接CLR信号；所述SRAM存储器的互补值...
【专利技术属性】
技术研发人员：周泉，沈晔晖，马庆容，金娴，章旭明，严沁佳，
申请(专利权)人：上海复旦微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。