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本发明提供一种适用于低电压数据写入的ＥＥＰＲＯＭ擦写高压转换控制缓存器，它包括ＭａｓｋＢｕｆ模块、ＤａｔａＢｕｆ模块及数据写入控制逻辑模块，通过在ＳＲＡＭ存储器的真值和互补值两端分别接一个对地的ＮＭＯＳ管，利用ＳＥＴ和ＲＥＳＥＴ信号分别对这...
该专利属于上海复旦微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海复旦微电子股份有限公司授权不得商用。

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