一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路，其包含存储阵列；该存储阵列上设有凸出部分和凹陷部分；设置在存储阵列一边的外围电路；该外围电路与存储阵列电路连接；其特征是，该芯片电路还包含设置在存储阵列的凸出部分的若干横向焊盘；以及设置在存储阵列的凹陷部分的若干纵向焊盘；横向焊盘和纵向焊盘与存储阵列和外围电路之间电路连接。本实用新型专利技术中横向焊盘和纵向焊盘的组合正好与凸出部分和凹陷部分达到互补，纵向焊盘充分利用了凹陷部分的面积；而凸出部分设置横向焊盘，减小了整个芯片版图的面积，同时有效的防止了面积的浪费或电路性能的下降，从焊盘到外围电路的布线距离和延时缩短，提升了芯片的访问速度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种储存芯片，具体涉及一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局 的芯片电路。
技术介绍
目前，占存储器芯片版图面积的最大部分是存储阵列。存储器阵列有规则的，也有 不规则的。对于规则的情况，整个阵列可以被排列成一个矩形。而对于不规则的情况，整个 阵列无法排列成一个规矩的矩形，而是一个不规则的形状。如图1所示，为现有技术中在存 储阵列的不规则的一边要放置比较多的焊盘的一个普遍版图设计方法。图1不是一个完整 的芯片版图的示意图，而只包括了存储阵列，存储阵列不规则边的焊盘以及外围电路。存储 阵列101呈不规则的“7”字形。阵列下方布局了一排焊盘102，每个焊盘都使用了纵向焊盘 103以使放置较多的焊盘成为可能。其缺点在于，由于存储阵列101的不规则性，空出了 105所示的面积，该部分面积 就被完全浪费了。如果将外围电路104中的部分电路拆分并布局到105的区域，那么这两部 分电路之间将间隔了一个很大的存储阵列区域，造成两部分电路之间的通讯和时序变差， 影响芯片性能。
技术实现思路
本技术提供一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路，以充分利用 由于存储阵列不规则性带来的多余面积，缩小版图面积以降低成本，同时在不降低芯片其 他性能的基础上使得芯片的访问速度性能在一定程度上有所提高。为实现上述目的，本技术提供一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片 电路，该芯片电路包含存储阵列；该存储阵列上设有若干凸出部分和若干凹陷部分；设置在上述存储阵列一边的外围电路；该外围电路与存储阵列电路连接；其特征是，该芯片电路还包含设置在存储阵列的凸出部分处的若干横向焊盘；以 及，设置在存储阵列的凹陷部分处的若干纵向焊盘；上述横向焊盘和纵向焊盘分别与上述存储阵列和外围电路之间电路连接。上述横向焊盘的宽度大于纵向焊盘；该纵向焊盘的高度大于横向焊盘。上述若干横向焊盘的大小形状与存储阵列的凸出部分相适配。上述若干纵向焊盘的大小形状与存储阵列的凹陷部分相适配。本技术一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路和现有技术相比， 其优点在于，本技术设有若干横向焊盘和纵向焊盘，横向焊盘和纵向焊盘的组合正好 和存储阵列的不规则边凸出部分和凹陷部分达到互补，纵向焊盘充分利用了存储阵列不规 则边的凹陷部分的面积；而在存储阵列不规则边的凸出部分设置横向焊盘则减小了整个芯片版图的高度，减小了整个芯片版图的面积，降低了芯片成本，同时，由于不存在现有技术 中的空余面积，所以有效的防止了面积的浪费或电路性能的下降。同时由于芯片版图高度 的减小，从焊盘到外围电路的布线距离和延时也有所缩短，从而提升了芯片的访问速度。附图说明图1为现有技术芯片电路的电路布局图；图2为本技术一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路一种实施 例的电路布局图；图3为本技术一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路一种实施 例的电路布局图；图4为本技术一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路一种实施 例的电路布局图。具体实施方式以下结合附图说明本技术的具体实施方式。图2、图3和图4中的电路布局的各个实施例，不代表一个完整芯片的电路器件布 局方式，只是其中的一部分，用于突出显示本技术一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理 布局的芯片电路其电路布局的结构特征。如图2所示，本技术提供一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电 路，其包含存储阵列201，以及设置在存储阵列201旁的外围电路204、若干横向焊盘203和 纵向焊盘202。该存储阵列201呈“7”字形，其一条边为不规则边，该不规则边上设有一凸 出部分和一凹陷部分。外围电路204贴近存储阵列201的一条直边设置，同时，外围电路 204与存储阵列201之间存在电路连接。在存储阵列201不规则边的凸出部分处设有若干个互相平行设置的横向焊盘 203，在存储阵列201不规则边的凹陷部分处设有若干互相平行设置的纵向焊盘202，同时， 横向焊盘203和纵向焊盘202的一条边都与存储阵列201的边相平行。横向焊盘203和纵 向焊盘202分别与存储阵列201和外围电路204之间存在电路连接，组成存储器芯片的部 分电路连接和器件布局。横向焊盘203的横向宽度大于纵向焊盘202，而纵向焊盘202的纵向高度大于所 述横向焊盘203。若干横向焊盘203的形状大小与存储阵列201不规则边的凸出部分相适 配，若干纵向焊盘202的大小形状与存储阵列201不规则边的凹陷部分相适配。同时由于 纵向焊盘202和横向焊盘203在高度上的长度差，填补了存储阵列201不规则边上凸出部 分和凹陷部分之间的差，在布局完成后，横向焊盘203和纵向焊盘202相对于存储阵列201 的外边保持在同一直线上。如图3所示，为本技术一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路的 另一种实施例。其包含存储阵列201，以及设置在存储阵列201旁的外围电路204、若干横 向焊盘203和纵向焊盘202。该存储阵列201呈“凸”字形，其一条边为不规则边，一凸出部 分设置在不规则边的中部，而两个凹陷部分设置在凸出部分的两旁。外围电路204贴近存 储阵列201的一条直边设置，同时，外围电路204与存储阵列201之间存在电路连接。在存储阵列201不规则边中部的凸出部分处设有若干个互相平行设置的横向焊 盘203，在存储阵列201不规则边两旁的凹陷部分处设有若干互相平行设置的纵向焊盘 202，同时，横向焊盘203和纵向焊盘202的一条边都与存储阵列201的边相平行。横向焊 盘203和纵向焊盘202与存储阵列201和外围电路204之间存在电路连接，形成存储器芯 片的部分电路连接和器件布局。横向焊盘203的横向宽度大于纵向焊盘202，而纵向焊盘202的纵向高度大于所 述横向焊盘203。若干横向焊盘203的形状大小与存储阵列201不规则边的凸出部分相适 配，若干纵向焊盘202的大小形状与存储阵列201不规则边的凹陷部分相适配。同时由于 纵向焊盘202和横向焊盘203在高度上的长度差，填补了存储阵列201不规则边上凸出部 分和凹陷部分之间的差，在布局完成后，横向焊盘203和纵向焊盘202相对于存储阵列201 的外边保持在同一直线上。如图4所示，为本技术一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路的 另一种实施例。其包含存储阵列201，以及设置在存储阵列201旁的外围电路204、若干横 向焊盘203和纵向焊盘202。该存储阵列201呈“凹”字形，其一条边为不规则边，一凹陷部 分设置在不规则边的中部，而两个凸出部分分别设置在不规则边凹陷部分的两旁。外围电 路204贴近存储阵列201的一条直边设置，同时，外围电路204与存储阵列201之间存在电 路连接。在存储阵列201不规则边两旁的凸出部分处设有若干个互相平行设置的横向焊 盘203，在存储阵列201不规则边中部的凹陷部分处设有若干互相平行设置的纵向焊盘 202，同时，横向焊盘203和纵向焊盘202的一条边都与存储阵列201的边相平行。横向焊 盘203和纵向焊盘202与存储阵列201和外围电路204之间存在电路连接，形成存储器芯 片的部分电路连接和器件布局。横向焊盘203的横向宽度大于纵向焊盘202，而纵向焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用横向焊盘和纵向焊盘合理布局的芯片电路，该芯片电路包含：存储阵列（２０１）；所述存储阵列（２０１）上设有若干凸出部分和若干凹陷部分；设置在所述存储阵列（２０１）一边的外围电路（２０４）；所述外围电路（２０４）与存储阵列（２０１）电路连接；其特征在于，该芯片电路还包含设置在所述存储阵列（２０１）的凸出部分处的若干横向焊盘（２０３）；以及，设置在所述存储阵列（２０１）的凹陷部分处的若干纵向焊盘（２０２）；所述横向焊盘（２０３）和纵向焊盘（２０２）分别与所述存储阵列（２０１）和外围电路（２０４）电路连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董艺，刘红霞，
申请(专利权)人：上海复旦微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]