为闪存装置设定编程起始偏压的方法和使用它的编程方法制造方法及图纸

提供一种为闪存装置设定编程起始偏压以执行编程操作的方法。首先，该方法使用第一编程电压执行预编程以改变选择的晶体管的阈值电压分布，并且检测改变的阈值电压分布的最大阈值电压电平。然后该方法计算检测的最大阈值电压电平与目标最大阈值电压电平之间的差异，并且设定起始偏压到通过将计算的差异加到第一编程电压所得到的电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存装置，并更特别地，涉及一种使用增量步幅脉冲编程(ISPP)方案为NAND闪存装置设定编程起始偏压的方法、以及一种使用该编程起始偏压设定方法编程NAND闪存装置的方法。
技术介绍
通常，NAND闪存包括一串以串联连接的单元。该串可以包括一串或更多串选择晶体管。通过如Fowler-Nordheim(F-N)隧道效应(tunneling)的隧道效应，执行用于编程和/或擦除NAND闪存装置的操作。特别地，用于编程NAND闪存装置的操作使用栅极与通道(channel)间的耦合。例如，要被编程的单元在栅极与通道间有相对大的电压差，而不被编程的单元在栅极与通道间有相对小的电压差。用于编程NAND闪存装置的操作还包含单元阈值电压分布。 通常，使用增量步幅脉冲编程(ISPP)方案调整该单元阈值电压分布。如图1所示，根据该一般ISPP方案，以ΔV的步幅增量的起始偏压开始，通过顺续地施加偏压执行编程。即，首先用第一偏压VISPP1作为起始偏压执行编程，然后用第二偏压VISPP2执行，该第二偏压通过对第一偏压VISPP1增加ΔV而得到。重复此过程直到施加最后偏压VISPPn。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种为闪存装置设定编程起始偏压的方法，该方法包含：使用第一编程电压对选择的存储器单元执行预编程；在预编程之后，测量该选择的存储器单元的最高阈值电压；计算最高阈值电压与目标阈值电压分布的目标最高阈值电压之间的差异；以及通过将该差异加到第一编程电压，设定起始偏压以便编程操作。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-3 108441/061.一种为闪存装置设定编程起始偏压的方法，该方法包含使用第一编程电压对选择的存储器单元执行预编程；在预编程之后，测量该选择的存储器单元的最高阈值电压；计算最高阈值电压与目标阈值电压分布的目标最高阈值电压之间的差异；以及通过将该差异加到第一编程电压，设定起始偏压以便编程操作。2.如权利要求1所述的方法，还包括在设定起始偏压后，使用增量步幅脉冲编程(ISPP)方法实现编程操作。3.如权利要求1所述的方法，其中第一编程电压是在13V到22V的范围中。4.如权利要求1所述的方法，其中第一编程电压是16V。5.如权利要求1所述的方法，其中执行预编程使得最高阈值电压超过0V。6.如权利要求1所述的方法，其中测量最高阈值电压的步骤包括在预编程之后，施加扫描偏压到选择的存储器单元；以及检查选择的存储器单元通过。7.如权利要求6所述的方法，其中检查选择的存储器单元没有通过，再检查将步幅偏压加到扫描偏压的选择的存储器单元。8.如权利要求7所述的方法，还包括重复施加、检查以及加上步幅偏压直到选择的存储器单元通过。9.如权利要求7所述的方法，其中步幅偏压是在0.05V到0.8V的电平。10.如权利要求6所述的方法，其中扫描偏压的初始电平为0V。11.如权利要求1所述的方法，其中设定目标阈值电压分布的最高阈值电压，使得已经由循环增加的阈值电压分布的最高阈值电压不超过用于读取操作的读取电压。12.如权利要求1所述的方法，其中目标阈值电压分布的最高阈值电压低于读取电压电平1V到3V。13.一种用于编程...

【专利技术属性】
技术研发人员：金淑景，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]